Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
Autor principal: | Салтымаков М. С. Максим Сергеевич |
---|---|
Altres autors: | Ремнев Г. Е. Геннадий Ефимович (727) |
Sumari: | Защита сост. 24.03.2010 г. |
Idioma: | rus |
Publicat: |
Томск, 2010
|
Matèries: | |
Format: | Llibre |
KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=179099 |
Ítems similars
Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
per: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
Publicat: (Томск, 2010)
per: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
Publicat: (Томск, 2010)
Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
per: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
Publicat: (Томск, 2010)
per: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
Publicat: (Томск, 2010)
Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок монография
per: Александров Л. Н. Леонид Наумович
Publicat: (Новосибирск, Наука, 1978)
per: Александров Л. Н. Леонид Наумович
Publicat: (Новосибирск, Наука, 1978)
Осаждение пленок GaAs из абляционной плазмы, формируемой импульсным мощным ионным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
per: Ли Цзень Фень
Publicat: (Томск, [Б. и.], 2006)
per: Ли Цзень Фень
Publicat: (Томск, [Б. и.], 2006)
Устойчивость и разрушение дефектных механических наноструктур монография
per: Бычков А. А. Андрей Александрович
Publicat: (Москва, Русайнс, 2022)
per: Бычков А. А. Андрей Александрович
Publicat: (Москва, Русайнс, 2022)
Физико-химические условия устойчивости гетероструктур плёночных наночипов на основе нитрида галлия автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец.02.00.04
per: Комаровских Н. В. Нина Валерьевна
Publicat: (Барнаул, 2013)
per: Комаровских Н. В. Нина Валерьевна
Publicat: (Барнаул, 2013)
Процессы старения и окисления полупроводниковых пленок учебное пособие для студентов
per: Миколайчук А. Г. Алексей Гордеевич
Publicat: (Львов, Вища школа, 1979)
per: Миколайчук А. Г. Алексей Гордеевич
Publicat: (Львов, Вища школа, 1979)
Фотоэлектрические свойства пленок высокоомного GaAs, осажденных из абляционной плазмы, формируемой мощным импульсным ионнм пучком
Publicat: (2008)
Publicat: (2008)
Осаждение тонких пленок из абляционной плазмы, генерируемой на мишени при воздействии мощного ионного пучка диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
per: Закутаев А. Н. Александр Николаевич
Publicat: (Томск, 1998)
per: Закутаев А. Н. Александр Николаевич
Publicat: (Томск, 1998)
Получение тонких пленок Nb3Sn методом магнетронного распыления
per: Савельев А. И.
Publicat: (2023)
per: Савельев А. И.
Publicat: (2023)
Осаждение тонких пленок из абляционной плазмы, генерируемой на мишени при воздействии мощного ионного пучка автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
per: Закутаев А. Н. Александр Николаевич
Publicat: (Томск, [Б. и.], 1998)
per: Закутаев А. Н. Александр Николаевич
Publicat: (Томск, [Б. и.], 1998)
Распыление меди импульсным мощным ионным пучком: структура и фазовый состав мишени и пленки
Publicat: (2001)
Publicat: (2001)
Свойства пленок оксида галлия, полученных методом электрохимического окисления пластин GaAs автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 1.3.11
per: Петрова Ю. С. Юлианна Сергеевна
Publicat: (Томск, 2024)
per: Петрова Ю. С. Юлианна Сергеевна
Publicat: (Томск, 2024)
Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией
per: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicat: (2010)
per: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicat: (2010)
Полупроводниковые плёнки InP полученные методом импульсного ионного осаждения
Publicat: (2007)
Publicat: (2007)
Оптические свойства пленок арсенида галлия, осажденных на диэлектрики из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком
Publicat: (2010)
Publicat: (2010)
Фотоэлектрические свойства пленок высокоомного арсенида галлия, осажденных из абляционной плазмы, формируемой мощным импульсным ионным пучком
Publicat: (2008)
Publicat: (2008)
Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией
per: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicat: (2012)
per: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicat: (2012)
Осаждение пленок и покрытий разложением металлоорганических соединений
Publicat: (Москва, Наука, 1981)
Publicat: (Москва, Наука, 1981)
Развитие эпитаксии GaAs- от слитков к ультратонким пленкам. Выращивание слоев для наноструктурных приборов
per: Нишизава Дж.-И.
Publicat: (2003)
per: Нишизава Дж.-И.
Publicat: (2003)
Осаждение пленок из низкотемпературной плазмы и ионных пучков
per: Осипов К. А. Кирилл Афанасьевич
Publicat: (Москва, Наука, 1973)
per: Осипов К. А. Кирилл Афанасьевич
Publicat: (Москва, Наука, 1973)
Термическая и химическая пассивация пленок арсенида галлия, осажденных из абляционной плазмы
per: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicat: (2014)
per: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicat: (2014)
О магнитном поле, действующем на движущиеся доменные стенки в плёнках феррит-граната (Bi, Yb)3(Fe, Ga)5O12
Publicat: (2002)
Publicat: (2002)
Оптические свойства пленок GAAS, осажденных импульсной ионной абляцией
per: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicat: (2011)
per: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicat: (2011)
Осаждение антифрикционных покрытий в плазме магнетронного разряда
Publicat: (2016)
Publicat: (2016)
Осаждение TiN с помощью дуальной магнетронной распылительной системы
per: Тупикова О. С. Ольга Сергеевна
Publicat: (2011)
per: Тупикова О. С. Ольга Сергеевна
Publicat: (2011)
Реактивное осаждение пленок Al(2)O(3) с помощью дуальной МРС
per: Азина М. А.
Publicat: (2011)
per: Азина М. А.
Publicat: (2011)
Осаждение пленок арсенида галлия методом импульсной ионной абляции и их свойства
Publicat: (2009)
Publicat: (2009)
Осаждение прозрачных электропроводящих покрытий на основе оксида олова
per: Теменков В. С.
Publicat: (2016)
per: Теменков В. С.
Publicat: (2016)
Технологические аспекты выделения LU-177 из иттербиевой мишени
per: Ушаков И. А. Иван Алексеевич
Publicat: (2023)
per: Ушаков И. А. Иван Алексеевич
Publicat: (2023)
Генерация продольно-поляризованного пучка позитронов в гибридных мишенях
per: Нейман Д. А. Дмитрий Александрович
Publicat: (2014)
per: Нейман Д. А. Дмитрий Александрович
Publicat: (2014)
Технологии микроэлектроники. Химическое осаждение из газовой фазы
per: Киреев В. Ю. Валерий Юрьевич
Publicat: (Москва, Техносфера, 2006)
per: Киреев В. Ю. Валерий Юрьевич
Publicat: (Москва, Техносфера, 2006)
Осаждение из газовой фазы сокр. пер. с англ.
Publicat: (Москва, Атомиздат, 1970)
Publicat: (Москва, Атомиздат, 1970)
Анализ и опыт применения частотных преобразователей на линиях по производству полимерных рукавных плёнок
per: Сажин С. Г.
Publicat: (2003)
per: Сажин С. Г.
Publicat: (2003)
Тонкие ферромагнитные пленки пер. с англ.
per: Праттон М.
Publicat: (Ленинград, Судостроение, 1967)
per: Праттон М.
Publicat: (Ленинград, Судостроение, 1967)
Осаждение пленок арсенида галлия ионной абляцией и их термическая и химическая пассивация
Publicat: (2011)
Publicat: (2011)
Осаждение пленок арсенида галлия на кремнии импульсной ионной абляцией и их свойства
Publicat: (2011)
Publicat: (2011)
Оценка in vitro новых таргетных терапетических препаратов на основе affibody, нацеленных на рецептор HER-2
per: Боденко В. В. Виталина Васильевна
Publicat: (2023)
per: Боденко В. В. Виталина Васильевна
Publicat: (2023)
Осаждение плёнок оксида меди при магнетронном распылении в металлическом режиме
per: Воронина Е. Д. Екатерина Дмитриевна
Publicat: (2022)
per: Воронина Е. Д. Екатерина Дмитриевна
Publicat: (2022)
Электрические явления в тонких пленках Избранные главы из книги "Thin film phenomena" пер. с англ.
per: Чопра К. Л.
Publicat: (Москва, Мир, 1972)
per: Чопра К. Л.
Publicat: (Москва, Мир, 1972)
Ítems similars
-
Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
per: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
Publicat: (Томск, 2010) -
Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
per: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
Publicat: (Томск, 2010) -
Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок монография
per: Александров Л. Н. Леонид Наумович
Publicat: (Новосибирск, Наука, 1978) -
Осаждение пленок GaAs из абляционной плазмы, формируемой импульсным мощным ионным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
per: Ли Цзень Фень
Publicat: (Томск, [Б. и.], 2006) -
Устойчивость и разрушение дефектных механических наноструктур монография
per: Бычков А. А. Андрей Александрович
Publicat: (Москва, Русайнс, 2022)