Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07

Détails bibliographiques
Auteur principal:	Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
Collectivité auteur:	Томский политехнический университет (ТПУ)
Autres auteurs:	Ремнев Г. Е. Геннадий Ефимович (научный руководитель)
Résumé:	Защита сост. 24.03.2010 г.
Langue:	russe
Publié:	Томск, 2010
Sujets:	Полупроводниковые пленки > Физико-химические свойства тонкие пленки осаждение ионное распыление сильноточные импульсные ускорители ионные диоды мишень воздействие поверхностный слой химический состав изменение свойства структура авторефераты диссертаций труды учёных ТПУ
Format:	MixedMaterials Livre
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=179099

Documents similaires