Особенности радикального травления полупроводниковых материалов в галогенсодержащей плазме учебно-методическое пособие для вузов

Особенности радикального травления полупроводниковых материалов в галогенсодержащей плазме, учебно-методическое пособие для вузов

Detalhes bibliográficos
Parent link:	Плазменные технологии в микроэлектронике. / Владимирова Л. Н.,Дикарев Ю. И.,Рубинштейн В. М.,Петраков В. И.. Ч. 2.— учебно-методическое пособие для вузов
Autor principal:	Владимирова Л. Н.
Outros Autores:	Дикарев Ю. И., Рубинштейн В. М., Петраков В. И.
Resumo:	Учебно-методическое пособие подготовлено на кафедре физики полупроводников и микроэлектроники физического факультета Воронежского государственного университета. Рекомендуется для студентов 3-го курса дневного отделения физического факультета, обучающихся по программе подготовки бакалавров. Книга из коллекции ВГУ - Инженерно-технические науки
Publicado em:	Воронеж, ВГУ, 2014
Assuntos:	плазма электронный удар химически активные частицы механизмы генерации рекомбинация уравнение непрерывности разрядная зона время жизни диффузионная длина коэффициент диффузии радикальное травление экспериментальная установка методика эксперимента
Acesso em linha:	https://e.lanbook.com/book/357419 https://e.lanbook.com/img/cover/book/357419.jpg
Formato:	Recurso Electrónico Livro

Internet

https://e.lanbook.com/book/357419
https://e.lanbook.com/img/cover/book/357419.jpg