Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 1. От минерального сырья к монокристаллу учебник для вузов

Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 1. От минерального сырья к монокристаллу учебник для вузов

Bibliographic Details
Main Author:	Александрова О. А.
Other Authors:	Лебедев А. О., Мараева Е. В.
Summary:	Рассмотрены основные процессы подготовки исходного сырья и синтеза полупроводниковых материалов. Приводятся методики расчета технологических условий получения легированных полупроводниковых монокристаллов. Предложены задачи для самостоятельного углубленного изучения дисциплины. Приведены справочные данные, необходимые для проведения расчетов. Предназначено для бакалавров, обучающихся по направлениям «Электроника и наноэлектроника» и «Нанотехнологии и микросистемная техника». Книга из коллекции Лань - Инженерно-технические науки
Published:	Санкт-Петербург, Лань, 2023
Subjects:	электроника микроэлектроника монокристаллы полупроводники легирование технология кремний германий карбид кремния арсенид галлия фосфид индия нитрид алюминия метод Чохральского зонная плавка легированные кристаллы подпитка из жидкой фазы метод плавающего тигля синтез
Online Access:	https://e.lanbook.com/book/302354 https://e.lanbook.com/img/cover/book/302354.jpg
Format:	Electronic Book

Similar Items

Электрооборудование кристаллизационных установок
by: Черкасов Н. М. Николай Максимович
Published: (Москва, Металлургия, 1975)

Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
by: Пешев В. В. Владимир Викторович
Published: (Томск, 1999)

Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
by: Пешев В. В. Владимир Викторович
Published: (Томск, [Б. и.], 1999)

Полярографическое определение серы в порошках арсенида и фосфида галлия отдельный оттиск
by: Каплан Б. Я.
Published: (Москва, [Б. и.], 1969)

Полупроводниковая электроника сборник научных трудов
Published: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1979)

Напряжения в имплантированных структурах арсенида галлия
by: Ардышев М. В.
Published: (2002)

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10
by: Новиков В. А. Владимир Александрович
Published: (Томск, [Б. и.], 2007)

Полупроводниковые пленки для микроэлектроники
Published: (Новосибирск, Наука, 1977)

Применения координированного светофорного регулирования
by: Беляев Р. В.
Published: (2009)

Физические свойства полупроводников АIII ВV и Аlll BVI материалы Всесоюзной конференции по физическим свойствам полупроводников АIII ВV и Аlll BVI, Баку, октябрь 1965 г.
Published: (Баку, Изд-во АН АзССР, 1967)

Полуизолирующие соединения A III B V пер. с англ.
Published: (Москва, Металлургия, 1984)

Т. 13
Published: (1981)

Особенности оптических свойств сильно легированного GaAs:Te в условиях коррелированного распределения примеси автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10
by: Сидоров Е. Н. Евгений Николаевич
Published: (Томск, 2010)

Квантово-чувствительные детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия
by: Толбанов О. П.
Published: (2003)

Магнитоэлектрический эффект в молибдате самария
Published: (2002)

Технология полупроводниковых материалов
by: Александров С. Е.
Published: (Санкт-Петербург, Лань, 2022)

Исследование точностных характеристик методики определения хрома в арсениде галлия
by: Сараева В. Е.
Published: (1989)

Изучение радиопоглощающих свойств арсенида галлия
by: Семенова В. И. Валерия Игоревна
Published: (2018)

Распад пересыщенных полупроводниковых твердых растворов
by: Фистуль В. И. Виктор Ильич
Published: (Москва, Металлургия, 1977)

Формирование микродефектной структуры полупроводникового кремния
by: Таланин В. И.
Published: (2004)

Самокаталитический рост планарных нанопороволок и ленгмюровское испарение GaAs: моделирование методом Монте Карло автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 1.3.11
by: Спирина А. А. Анна Александровна
Published: (Новосибирск, 2023)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией
Published: (2014)

Осаждение пленок арсенида галлия методом импульсной ионной абляции и их свойства
Published: (2009)

Gallium arsenide digital integrated circuit design
by: Long Stephen I
Published: (New York, McGraw-Hill, 1990)

Исследования по разработке методик определения микропримесей в арсениде галлия методом амальгамной полярографии с накоплением отчет о НИР тема: х/д 29/66
Published: (Томск, 1967)

Т. 1
Published: (1959)

Влияние магнитного поля на стартовые напряжения и подвижность индивидуальных дислокаций в кремнии
Published: (2003)

Исследование полупроводников с широкой и узкой запрещенной зоной
Published: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1983)

Актуальные проблемы материаловедения [сборник обзоров] пер. с англ.
Published: (Москва, Мир, 1980)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
by: Толбанов О. П. Олег Петрович
Published: (Томск, 1999)

Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
by: Потапов А. И. Александр Иванович
Published: (Томск, 1999)

Протонный отжиг имплантированных арсенида галлия и кремния
by: Ардышев М. В.
Published: (2004)

Thermal and chemical passivation of gallium-arsenide films deposited from ablation plasma
by: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Published: (2014)

Термическая и химическая пассивация пленок арсенида галлия, осажденных из абляционной плазмы
by: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Published: (2014)

Transport charge of gallium arsenide films synthesized on polycrystalline silicon by ion ablation
Published: (2014)

Осаждение пленок арсенида галлия на кремнии импульсной ионной абляцией и их свойства
Published: (2011)

Осаждение пленок арсенида галлия ионной абляцией и их термическая и химическая пассивация
Published: (2011)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
by: Толбанов О. П. Олег Петрович
Published: (Томск, [Б. и.], 1999)

Спектры DLTS арсенида галлия, облучённого нейтронами
by: Пешев В. В.
Published: (2002)

Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
by: Потапов А. И. Александр Иванович
Published: (Томск, [Б. и.], 1999)