Физические основы проектирования кремниевых цифровых интегральных микросхем в монолитном и гибридном исполнении
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Weitere Verfasser: | |
| Zusammenfassung: | В учебном пособии изложены физические аспекты проектирования цифровых кремниевых микросхем в твердотельном и гибридном исполнении. Рассмотрены вопросы проектирования МОП- и биполярных транзисторов и диодов, а также пассивных элементов (резисторов, конденсаторов, проводников и контактных узлов). Подробно изложены вопросы проектирования элементов гибридных микросхем. Много внимания уделено проектированию МОП- и КМОП-интегральных микросхем, так как в настоящее время именно эти ИМС занимают ведущие позиции в производстве микросхем в целом. Особенностью данного учебного пособия является описание методов повышения надежности и радиационной стойкости ИМС, поскольку микросхемы широко используются в экстремальных условиях. Учебное пособие предназначено для преподавателей, аспирантов и студентов, специализирующихся в области микроэлектроники, электроники, электронных измерительных систем, а также для специалистов, интересующихся повышением надежности и радиационной стойкости ИМС. Книга из коллекции Лань - Инженерно-технические науки |
| Veröffentlicht: |
Санкт-Петербург, Лань, 2022
|
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | https://e.lanbook.com/book/211199 https://e.lanbook.com/img/cover/book/211199.jpg |
| Format: | Elektronisch Buch |
