Расчёт биполярных транзисторов учебное пособие

Расчёт биполярных транзисторов, учебное пособие

Bibliografiset tiedot
Päätekijä:	Базылев В. К.
Yhteenveto:	Приведена методика расчёта дискретного биполярного транзистора с использованием пакета программ MathCad. Рассчитываются основные параметры биполярного транзистора с учётом эффектов высокого уровня легирования, инжекции и Кирка. Предназначено для студентов дневного и вечернего отделений направления 654100 "Электроника и микроэлектроника". Книга из коллекции РГРТУ - Инженерно-технические науки
Julkaistu:	Рязань, РГРТУ, 2004
Aiheet:	выбор концентрации эпитаксиальный слой толщина активной части высокая омная область предварительная проверка ширина базы граничная частота определение границ опз удельная емкость эмиттерного перехода выбор топологии кристалла проверка базы на прокол статический коэффициент передачи тока базы эффекты высокого уровня легирования эмиттера профиль легирования расчет импульсных характеристик
Linkit:	https://e.lanbook.com/book/167935 https://e.lanbook.com/img/cover/book/167935.jpg
Aineistotyyppi:	Elektroninen Kirja

Internet

https://e.lanbook.com/book/167935
https://e.lanbook.com/img/cover/book/167935.jpg