Физико-химические основы формирования керамики на основе SiC, монография
| Κύριος συγγραφέας: | |
|---|---|
| Άλλοι συγγραφείς: | |
| Περίληψη: | Данная монография является результатом большого цикла работ, выполненных под руководством авторов. Результаты, полученные авторами, актуальны для большинства читателей. Это объясняется новизной и своеобразием объекта исследования, в качестве которого были выбраны твердые растворы на основеSiC. В монографии приведен термодинамический анализ закономерностей формирования твердых растворов, изучается моделирование процесса спекания керамики на основе карбида кремния. Представлена математическая модель расчета температурно-временного режима процесса спекания керамических материалов. Книга адресована научным сотрудникам и специалистам, работающим в области физики и технологии керамических материалов на основе широкозонных полупроводниковых соединений для твердотельной электроники. Книга из коллекции ДГУ - Физика |
| Έκδοση: |
Махачкала, ДГУ, 2016
|
| Θέματα: | |
| Διαθέσιμο Online: | https://e.lanbook.com/book/158317 https://e.lanbook.com/img/cover/book/158317.jpg |
| Μορφή: | Ηλεκτρονική πηγή Βιβλίο |
| Φυσική περιγραφή: | 58 с. |
|---|---|
| Περίληψη: | Данная монография является результатом большого цикла работ, выполненных под руководством авторов. Результаты, полученные авторами, актуальны для большинства читателей. Это объясняется новизной и своеобразием объекта исследования, в качестве которого были выбраны твердые растворы на основеSiC. В монографии приведен термодинамический анализ закономерностей формирования твердых растворов, изучается моделирование процесса спекания керамики на основе карбида кремния. Представлена математическая модель расчета температурно-временного режима процесса спекания керамических материалов. Книга адресована научным сотрудникам и специалистам, работающим в области физики и технологии керамических материалов на основе широкозонных полупроводниковых соединений для твердотельной электроники. Книга из коллекции ДГУ - Физика |