Физико-химические основы формирования керамики на основе SiC, монография
| প্রধান লেখক: | |
|---|---|
| অন্যান্য লেখক: | |
| সংক্ষিপ্ত: | Данная монография является результатом большого цикла работ, выполненных под руководством авторов. Результаты, полученные авторами, актуальны для большинства читателей. Это объясняется новизной и своеобразием объекта исследования, в качестве которого были выбраны твердые растворы на основеSiC. В монографии приведен термодинамический анализ закономерностей формирования твердых растворов, изучается моделирование процесса спекания керамики на основе карбида кремния. Представлена математическая модель расчета температурно-временного режима процесса спекания керамических материалов. Книга адресована научным сотрудникам и специалистам, работающим в области физики и технологии керамических материалов на основе широкозонных полупроводниковых соединений для твердотельной электроники. Книга из коллекции ДГУ - Физика |
| প্রকাশিত: |
Махачкала, ДГУ, 2016
|
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://e.lanbook.com/book/158317 https://e.lanbook.com/img/cover/book/158317.jpg |
| বিন্যাস: | বৈদ্যুতিক গ্রন্থ |
