Диод Шоттки на основе GaAs: технология получения и диагностика, электронное учебно-методическое пособие
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | |
| الملخص: | Описаны основные свойства контактов металл/полупроводник, образующих барьер Шоттки. Рассмотрены методы измерений и расчёта характеристик диода Шоттки. Изложены основы технологии формирования контактов металл/полупроводник для Si и GaAs, рассмотрены основные методы формирования контактов. Приведено описание вакуумных методов, в том числе, метода электронно-лучевого испарения. Предложено выполнение практической работы по формированию и исследованию диода Шоттки. Для студентов старших курсов, специализирующихся по направлению 210600 «Нанотехнология», студентов магистратуры и аспирантов, слушающих курсы в области наноэлектроники и ведущих исследования в соответствующей области. Книга из коллекции ННГУ им. Н. И. Лобачевского - Физика |
| منشور في: |
Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2013
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://e.lanbook.com/book/153364 https://e.lanbook.com/img/cover/book/153364.jpg |
| التنسيق: | الكتروني كتاب |
