Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида галлия методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений описание лабораторной работы

Bibliographic Details
Main Author:	Байдусь Н. В.
Other Authors:	Звонков Б. Н.
Summary:	Эпитаксиальный рост монокристаллических слоев полупроводников из газовой фазы широко используется в технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем. Цель данной лабораторной работы состоит в ознакомлении студентов с физико-химическими основами эпитаксиального роста методом МОСГЭ, получении практических навыков работы с технологическим оборудованием и полупроводниковыми материалами. Подготовлено в Научно-исследовательском физико-технологическом институте ННГУ. Книга из коллекции ННГУ им. Н. И. Лобачевского - Химия
Published:	Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 1999
Online Access:	https://e.lanbook.com/book/153072 https://e.lanbook.com/img/cover/book/153072.jpg
Format:	Electronic Book

Internet