Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов ИС и БИС: Проектирование и расчет КМОП-схем с коротким каналом учебно-методическое пособие
| Main Author: | |
|---|---|
| Other Authors: | , |
| Summary: | В пособии представлен метод расчета и анализа параметров КМОП-схем с минимальными топологическими размерами 1,25 мкм; учтен ряд основных параметров и физических эффектов, существенных для МОП-транзистора с коротким каналом: концентрация примеси в подложке, снижение потенциального барьера под действием стока, эффекты горячих электронов, пробивное напряжение переходов, насыщение скорости носителей и т. д. В пособии показано, как с помощью достаточно простых аналитических выражений можно определить базовые конструктивно-технологические параметры ИС и рассчитать динамические параметры весьма близкие к тем, которые дает более детальное моделирование по пакетам программ схемотехнического моделирования MicroCap и PSPIСE. Предполагается, что студенту известны физические принципы работы МОП-транзисторов, и поэтому они не рассматриваются Книга из коллекции МИСИС - Инженерно-технические науки |
| Published: |
Москва, МИСИС, 2000
|
| Online Access: | https://e.lanbook.com/book/116674 https://e.lanbook.com/img/cover/book/116674.jpg |
| Format: | Electronic Book |
