СВЧ-приборы и интегральные микросхемы: Расчет параметров селективно легированного гетеротранзистор учебно-методическое пособие

Bibliographic Details
Main Author:	Кольцов Г. И.
Summary:	В данном пособии излагаются физические принципы создания на границе гетероперехода, между широкозонным и узкозонным полупроводниковыми материалами, слоя двумерного электронного газа. Рассматриваются причины увеличения подвижности электронов и как следствие расширения частотного диапазона работы полевых транзисторов. Изучаются принципы работы полевых транзисторов с селективным легированием, их конструкции и методы управления концентрацией электронов в канале. Приводятся примеры расчета концентрации электронов, вольт - амперных и частотных характеристик СЛГТ Книга из коллекции МИСИС - Инженерно-технические науки
Published:	Москва, МИСИС, 2001
Online Access:	https://e.lanbook.com/book/116660 https://e.lanbook.com/img/cover/book/116660.jpg
Format:	Electronic Book

Internet