Стиль цитування APA (7-ме видання)

Narita, T., & Kachi, T. (2020). Characterization of Defects and Deep Levels for GaN Power Devices. AIP Publishing. https://doi.org/10.1063/9780735422698

Чикаго стиль цитування (17-те видання)

Narita, Tetsuo, та Tetsu Kachi. Characterization of Defects and Deep Levels for GaN Power Devices. Melville, New York: AIP Publishing, 2020. https://doi.org/10.1063/9780735422698.

Стиль цитування MLA (9-ме видання)

Narita, Tetsuo, та Tetsu Kachi. Characterization of Defects and Deep Levels for GaN Power Devices. AIP Publishing, 2020. https://doi.org/10.1063/9780735422698.