Characterization of Defects and Deep Levels for GaN Power Devices

Detalhes bibliográficos
Autor principal:	Narita, Tetsuo
Outros Autores:	Kachi, Tetsu
Resumo:	online resource (224 pages) text
Idioma:	inglês
Publicado em:	Melville, New York AIP Publishing 2020
Assuntos:	TECH. & ENGR. / Electronics/Semiconductors TECH. & ENGR. / Materials Science/Electronic Materials SCIENCE / Electron Microscopes & Microscopy
Acesso em linha:	https://doi.org/10.1063/9780735422698
Formato:	Recurso Eletrônico Livro

Internet

https://doi.org/10.1063/9780735422698