Ионное легирование полупроводников (Кремний и германий): пер. с англ.

Detalles Bibliográficos
Autor Principal:	Мейер Дж. Джеймс
Outros autores:	Эриксон Л. (переводчик), Дэвис Д., Гусев В. М.
Idioma:	ruso
Publicado:	Москва, Мир, 1973
Subjects:	Полупроводники > Легирование ионное ионное легирование полупроводники примесные атомы проникновение микроэлектронные приборы ионное внедрение эффект Холла
Formato:	Libro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=91759

MARC


LEADER	00000nam0a2200000 4500
001	91759
005	20231031104239.0
035			\|a (RuTPU)RU\TPU\book\98349
090			\|a 91759
100			\|a 20060301d1973 km y0rusy50 ca
101	1		\|a rus \|c eng
102			\|a RU
105			\|a a z 001zy
200	1		\|a Ионное легирование полупроводников (Кремний и германий) \|e пер. с англ. \|f Дж. Мейер, Л. Эриксон, Д. Дэвис \|g пер. В. М. Гусев
210			\|a Москва \|c Мир \|d 1973
215			\|a 296 с. \|c ил.
320			\|a Библиогр.: с. 288-296.
606	1		\|a Полупроводники \|x Легирование ионное \|2 stltpush \|3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50586
610	1		\|a ионное легирование
610	1		\|a полупроводники
610	1		\|a примесные атомы
610	1		\|a проникновение
610	1		\|a микроэлектронные приборы
610	1		\|a ионное внедрение
610	1		\|a эффект Холла
675			\|a 621.315.592.002 \|v 3
700		1	\|a Мейер \|b Дж. \|g Джеймс
701		1	\|a Эриксон \|b Л.
701		1	\|a Дэвис \|b Д.
702		1	\|a Гусев \|b В. М. \|4 730
801		1	\|a RU \|b 63413507 \|c 20060301 \|g PSBO
801		2	\|a RU \|b 63413507 \|c 20200813 \|g PSBO
942			\|c BK