• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Avançada
  • Ионное легирование полупроводн...
  • Citar
  • Enviar aquest missatge de text
  • Enviar per correu electrònic aquest
  • Imprimir
  • Exportar registre
    • Exportar a RefWorks
    • Exportar a EndNoteWeb
    • Exportar a EndNote
  • Enllaç permanent
Ионное легирование полупроводников (Кремний и германий) пер. с англ.

Ионное легирование полупроводников (Кремний и германий), пер. с англ.

Dades bibliogràfiques
Autor principal: Мейер Дж. Джеймс
Altres autors: Эриксон Л. (730), Дэвис Д., Гусев В. М.
Idioma:rus
Publicat: Москва, Мир, 1973
Matèries:
ионное легирование
полупроводники
примесные атомы
проникновение
микроэлектронные приборы
ионное внедрение
эффект Холла
Format: Llibre
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=91759
  • Fons
  • Descripció
  • Ítems similars
  • Visualització del personal

Ítems similars

  • Легирование полупроводников [сборник статей]
    Publicat: (Москва, Наука, 1982)
  • Поверхностное ионное легирование режущего инструмента
    per: Лозинский Ю. М.
    Publicat: ( 1979)
  • Импульсный отжиг полупроводниковых материалов
    Publicat: (Москва, Наука, 1982)
  • Ионная имплантация сборник статей
    Publicat: (Москва, Металлургия, 1985)
  • Вопросы радиационной технологии полупроводников [монография]
    Publicat: (Новосибирск, Наука, 1980)