MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 90412
005 20231031103503.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\96952 
090 |a 90412 
100 |a 20060209d1981 km y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a a z 001zy 
200 1 |a Легирование полупроводников методом ядерных реакций  |f Л. С. Смирнов [и др.]  |g Академия наук СССР, Сибирское отделение, Институт физики полупроводников (АН СССР СО ИФП) ; под ред. Л. С. Смирнова 
210 |a Новосибирск  |c Наука  |d 1981 
215 |a 182 с.  |c ил. 
320 |a Библиогр. в конце гл. 
610 1 |a легирование 
610 1 |a полупроводники легированные 
610 1 |a радиационные дефекты 
610 1 |a кристаллы 
610 1 |a реакции ядерные 
610 1 |a кремний 
675 |a 621.315.59  |v 3 
701 1 |a Смирнов  |b Л. С.  |g Леонид Степанович 
701 1 |a Соловьев  |b С. П.  |g Сергей Петрович 
701 1 |a Стась  |b В. Ф.  |g Владимир Федосеевич 
701 1 |a Харченко  |b В. А.  |g Вячеслав Александрович 
702 1 |a Смирнов  |b Л. С.  |g Леонид Степанович  |4 340 
712 0 2 |a Академия наук СССР  |b Сибирское отделение  |b Институт физики полупроводников (АН СССР СО ИФП)  |c (Новосибирск)  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\11385 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20060209  |g PSBO 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20220310  |g PSBO 
942 |c BK