• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Advanced
  • Легирование полупроводников ме...
  • Cite this
  • Text this
  • Email this
  • Print
  • Export Record
    • Export to RefWorks
    • Export to EndNoteWeb
    • Export to EndNote
  • Permanent link
Легирование полупроводников методом ядерных реакций

Легирование полупроводников методом ядерных реакций

Bibliographic Details
Corporate Author: Академия наук СССР Сибирское отделение Институт физики полупроводников (АН СССР СО ИФП)
Other Authors: Смирнов Л. С. Леонид Степанович (340), Соловьев С. П. Сергей Петрович, Стась В. Ф. Владимир Федосеевич, Харченко В. А. Вячеслав Александрович
Published: Новосибирск, Наука, 1981
Subjects:
легирование
полупроводники легированные
радиационные дефекты
кристаллы
реакции ядерные
кремний
Format: Book
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=90412
  • Holdings
  • Description
  • Similar Items
  • Staff View

Similar Items

  • Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников пер. с англ.
    Published: (Москва, Мир, 1982)
  • Вопросы радиационной технологии полупроводников [монография]
    Published: (Новосибирск, Наука, 1980)
  • Модифицирование полупроводников пучками протонов
    by: Козловский В. В. Виталий Васильевич
    Published: (СПб., Наука, 2003)
  • Физика легированной металлами поверхности полупроводников
    by: Примаченко В. Е. Виктор евгеньевич
    Published: (Киев, Наукова думка, 1988)
  • Использование ядерного легирования для получения высокоомного кремния
    by: Емец Е. Г. Евгений Геннадьевич
    Published: (2016)