|
|
|
|
| LEADER |
00000naa2a2200000 4500 |
| 001 |
90060 |
| 005 |
20231031103319.0 |
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\book\96595
|
| 090 |
|
|
|a 90060
|
| 100 |
|
|
|a 20060203d2002 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 200 |
1 |
|
|a Зависимость свойств ионно-легированных слоёв GaAs : Si от дозы имплантации после радиационного отжига
|f М. В. Ардышев, В. М. Ардышев, В. Ф. Пичугин
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр.: 8 назв.
|
| 463 |
|
0 |
|0 (RuTPU)RU\TPU\book\50367
|t Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
|o труды III Международной конференции , Томск, 29 июля - 3 августа 2002 г.
|f Российская Академия естественных наук; Томский политехнический университет; Алтайский государственный технический университет; Бурятский научный центр
|v С. 16-18
|d 2002
|p 390 с.
|
| 610 |
1 |
|
|a отжиг
|
| 610 |
1 |
|
|a радиационный отжиг
|
| 610 |
1 |
|
|a диффузия
|
| 610 |
1 |
|
|a ионно-легированные слои
|
| 610 |
1 |
|
|a электронный отжиг
|
| 610 |
1 |
|
|a труды учёных ТПУ
|
| 700 |
|
1 |
|a Ардышев
|b М. В.
|
| 701 |
|
1 |
|a Ардышев
|b В. М.
|
| 701 |
|
1 |
|a Пичугин
|b В. Ф.
|c российский физик
|c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук
|f 1944-
|g Владимир Федорович
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\pers\25824
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20060203
|g PSBO
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20130508
|g PSBO
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
