Зависимость свойств ионно-легированных слоёв GaAs : Si от дозы имплантации после радиационного отжига

Зависимость свойств ионно-легированных слоёв GaAs : Si от дозы имплантации после радиационного отжига

Bibliographic Details
Parent link:Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах.— 2002.— С. 16-18
Main Author: Ардышев М. В.
Other Authors: Ардышев В. М., Пичугин В. Ф. Владимир Федорович
Language:Russian
Published: 2002
Subjects:
отжиг
радиационный отжиг
диффузия
ионно-легированные слои
электронный отжиг
труды учёных ТПУ
Format: Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=90060

Similar Items