APA (7th ed.) Citation

Ардышев М. В., Ардышев В. М., & Пичугин В. Ф. Владимир Федорович. (2002). Зависимость свойств ионно-легированных слоёв GaAs: Si от дозы имплантации после радиационного отжига; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах. 2002.

Chicago Style (17th ed.) Citation

Ардышев М. В., Ардышев В. М., and Пичугин В. Ф. Владимир Федорович. Зависимость свойств ионно-легированных слоёв GaAs: Si от дозы имплантации после радиационного отжига; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах. 2002, 2002.

MLA (9th ed.) Citation

Ардышев М. В., et al. Зависимость свойств ионно-легированных слоёв GaAs: Si от дозы имплантации после радиационного отжига; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах. 2002, 2002.