APA (7. basım) Alıntı

Ардышев М. В., Ардышев В. М., & Пичугин В. Ф. Владимир Федорович. (2002). Зависимость свойств ионно-легированных слоёв GaAs: Si от дозы имплантации после радиационного отжига. 2002.

Chicago Style (17. basım) Atıf

Ардышев М. В., Ардышев В. М., ve Пичугин В. Ф. Владимир Федорович. Зависимость свойств ионно-легированных слоёв GaAs: Si от дозы имплантации после радиационного отжига. 2002, 2002.

MLA (9th ed.) Atıf

Ардышев М. В., et al. Зависимость свойств ионно-легированных слоёв GaAs: Si от дозы имплантации после радиационного отжига. 2002, 2002.