Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي:	Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
مؤلف مشترك:	Томский государственный университет (ТГУ) Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (СФТИ)
مؤلفون آخرون:	Войцеховский А. В. Александр Васильевич (научный руководитель)
الملخص:	Заглавие с титульного экрана Электронная версия печатной публикации
اللغة:	الروسية
منشور في:	Томск, [Б. и.], 2005
الموضوعات:	физика полупроводниковые соединения эпитаксиальные пленки радиационные воздействия высокоэнергетические частицы ионы облучение кристаллы выращивание молекулярно-лучевая эпитаксия ионная имплантация электрофизические параметры измерение электроны теллурид кадмия ртути теллурид кадмия цинка радиационное дефектообразование моделирование электрически активные дефекты накопление распределение авторефераты диссертаций труды учёных ТПУ электронный ресурс
الوصول للمادة أونلاين:	http://www.lib.tpu.ru/fulltext/a/2005/31.pdf
التنسيق:	الكتروني كتاب
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=89277

مواد مشابهة

Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.10
حسب: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
منشور في: (Томск, [Б. и.], 2005)

Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.10
حسب: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
منشور في: (Томск, [Б. и.], 2005)

Образование радиационных дефектов в узкозонных полупроводниках при облучении электронами; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 303, вып. 2 : Радиационная физика твердого тела и радиационные технологии
حسب: Войцеховский А. В.
منشور في: (2000)

Анализ некоторых многокомпонентных систем потенциометрическим титрованием с применением ЭВМ: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
حسب: Шумар С. В. Светлана Викторовна
منشور في: (Томск, [Б. и.], 1995)

Влияние микроволнового излучения на приместно-дефектные состояния высокоомных монокристаллов CdTe; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
منشور في: (2011)

ИК-лазерное индуцированное изменение Eg в твёрдых растворах p-Cd1-xZnxTe; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/3 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
منشور في: (2011)

Исследование полупроводников с широкой и узкой запрещенной зоной
منشور في: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1983)

Бесщелевые полупроводники-новый класс веществ
حسب: Цидильковский И. М. Исаак Михайлович
منشور في: (Москва, Наука, 1986)

Полупроводниковые пленки и слоистые структуры
منشور في: (Киев, Наукова думка, 1977)

Фотолиз систем "азид свинца - теллурид кадмия"; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 307, № 4
حسب: Суровой Э. П.
منشور في: (2004)

Химия элементов. Лабораторный практикум учебное пособие
حسب: Калько О. А.
منشور في: (Череповец, ЧГУ, 2021)

Электрофизические свойства тройных соединений (Zn, Cd) - (Si, Ge,Sn) - As2, облученных протонами: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
حسب: Ведерникова Т. В. Татьяна Владимировна
منشور في: (Томск, [Б. и.], 2008)

Теллурид цинка
حسب: Радауцан С. И. Сергей Иванович
منشور في: (Кишинев, Штиинца, 1972)

Электрические свойства тройных соединений (Zn, Cd) - (Si, Ge,Sn) - As2, облученных протонами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
حسب: Ведерникова Т. В. Татьяна Владимировна
منشور في: (Томск, [Б. и.], 2008)

Кристаллизация и свойства кристаллов: межвузовский сборник; Вып. 5
منشور في: (Новочеркасск, Изд-во НПИ, 1978)

Теллурид германия и его физические свойства
حسب: Коржуев М. А. Михаил Александрович
منشور في: (Москва, Наука, 1986)

Электрические свойства тройных соединений (Zn, Cd) - (Si, Ge,Sn) - As2, облученных протонами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
حسب: Ведерникова Т. В. Татьяна Владимировна
منشور في: (Томск, [Б. и.], 2008)

Особенности определения электрофизических параметров варизонных структур КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой терапии; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 7
منشور في: (2004)

Теплоемкость и термодинамические функции теллурита кальция-кадмия в интервале 298,15...673 К; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 317, № 2: Математика и механика. Физика
حسب: Рустембеков К. Т.
منشور في: (2010)

Люминесценция сульфида кадмия при сколе в атомарном водороде; 2 Всесоюзное совещание по хемилюминесценции
حسب: Горбачев А. Ф.
منشور في: (1986)

Антимонид кадмия: библиографический указатель
حسب: Пономарев В. Ф.
منشور في: (Москва, 1981)

Влияние условий на синтез вольфрамата кадмия из водных растворов; Химия и химическая технология в XXI веке; Т. 1
حسب: Юркова В. Е.
منشور في: (2024)

Распределение ионов кадмия и алюминия в тканях и органах муксуна и нельмы нижнего течения Оби; Творчество юных - шаг в успешное будущее
حسب: Борисенко Н. В.
منشور في: (2015)

Изучение возможности использования твердого композитного электрода для потенциометрического определения кадмия в растворах; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 2 : Химия
حسب: Бурилова Г. А.
منشور في: (2017)

Анализ кадмия и его оксида методом атомно-эмиссионной и масс-спектрометрии с индуктивно связанной плазмой; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 2 : Химия
حسب: Лундовская О. В.
منشور في: (2018)

Импульс: Промежуточный отчет по III этапу
منشور في: (Томск, 1979)

Спектрально-кинетические характеристики донорно-акцепторных пар в кристаллах сульфида кадмия и селенида цинка; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/3 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
منشور في: (2011)

Вынужденное излучение в кристаллах сульфида кадмия при высоких уровнях возбуждения; Современные техника и технологии; Т. 2
حسب: Лысык В. В.
منشور في: (2011)

Свойства и технология изготовления износостойких материалов: [сборник научных трудов]
منشور في: (Таллин, Изд-во ТалТУ, 1980)

Импульс: Промежуточный отчет по II этапу
منشور في: (Томск, 1978)

Получение наночастиц сульфидов кадмия и свинца фотохимическим методом; Химия и химическая технология на рубеже тысячелетий
حسب: Егоров Н. Б. Николай Борисович
منشور في: (2004)

Люминесценция кристаллов CDWO4 при импульсном электронном и лазерном возбуждении; Современные техника и технологии; Т. 2
حسب: Гэ Гуанхуэй
منشور في: (2014)

Studying radiation hardness of a cadmium tungstate crystal based radiation detector; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 135 : Issues of Physics and Technology in Science, Industry and Medicine
منشور في: (2016)

Радиационное дефектообразование в кристаллах сульфата лития; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 3
حسب: Бахытжан А. Б.
منشور في: (2004)

Obtaining of nanoparticles of СdS by photolysis of NA4CDS2O33 aqueous solutions; Методология проектирования молодежного научно-инновационного пространства как основа подготовки современного инженера
حسب: Obmuch K. V.
منشور في: (2014)

Синтез ультрадисперсного порошка сплава Вуда с помощью импульсного электронного пучка; Физика и химия обработки материалов; № 3
منشور في: (2005)

Сорбционная очистка водных сред, содержащих ионы Cd2+ И Pb2+; Инновационные технологии в машиностроении
حسب: Максимов П. Н. Прокопий Николаевич
منشور في: (2024)

Removal of divalent cadmium ions from aqueous solution using Lantana camara leaves biocarbon; Resource-Efficient Technologies; No 2
حسب: Starlin Shyla S.
منشور في: (2019)

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
حسب: Новиков В. А. Владимир Александрович
منشور في: (Томск, [Б. и.], 2007)

Медицина катастроф: в 2 ч. Ч. 2 учебно-методическое пособие для студентов учреждений высшего образования, обучающихся по специальностям 1-79 01 01 «Лечебное дело», 1-79 01 02 «Педиатрия», 1-79 01 05 «Медико-психологическое дело»
حسب: Новоселецкий В. А.
منشور في: (Гродно, ГрГМУ, 2023)