Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Bibliographic Details
Main Author:	Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Corporate Author:	Томский государственный университет (ТГУ) Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (СФТИ)
Other Authors:	Войцеховский А. В. Александр Васильевич (727)
Summary:	Заглавие с титульного экрана Электронная версия печатной публикации
Published:	Томск, [Б. и.], 2005
Subjects:	физика полупроводниковые соединения эпитаксиальные пленки радиационные воздействия высокоэнергетические частицы ионы облучение кристаллы выращивание молекулярно-лучевая эпитаксия ионная имплантация электрофизические параметры измерение электроны теллурид кадмия ртути теллурид кадмия цинка радиационное дефектообразование моделирование электрически активные дефекты накопление распределение авторефераты диссертаций труды учёных ТПУ электронный ресурс
Online Access:	http://www.lib.tpu.ru/fulltext/a/2005/31.pdf
Format:	Electronic Book
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=89277

Internet

http://www.lib.tpu.ru/fulltext/a/2005/31.pdf