Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Bibliografiset tiedot
Päätekijä: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Yhteisötekijä: Томский государственный университет (ТГУ) Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (СФТИ)
Muut tekijät: Войцеховский А. В. Александр Васильевич (727)
Yhteenveto:Заглавие с титульного экрана
Электронная версия печатной публикации
Kieli:venäjä
Julkaistu: Томск, [Б. и.], 2005
Aiheet:
Linkit:http://www.lib.tpu.ru/fulltext/a/2005/31.pdf
Aineistotyyppi: Elektroninen Kirja
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=89277

MARC

LEADER 00000nlm0a2200000 4500
001 89277
005 20231031103003.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\95772 
090 |a 89277 
100 |a 20060118d2005 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a a dm 001zy 
135 |a drbn ---uucaa 
181 0 |a i  
182 0 |a b 
200 1 |a Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии  |b Электронный ресурс  |e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук  |f Д. В. Григорьев  |g Сибирский физико-технический институт при Томском Госуниверситете; науч. рук. А. В. Войцеховский 
203 |a Текст  |c электронный 
210 |a Томск  |c [Б. и.]  |d 2005 
215 |a 1 файл (377 Kb) 
230 |a Электронные текстовые данные (1 файл : 377 Kb) 
300 |a Заглавие с титульного экрана 
300 |a Электронная версия печатной публикации 
337 |a Adobe Reader 
452 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\book\94908  |t Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии  |o автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук  |o спец. 01.04.10  |f Д. В. Григорьев  |g Сибирский физико-технический институт при Томском Госуниверситете; науч. рук. А. В. Войцеховский  |c Томск  |n Б.и.  |d 2005  |p 22 с.  |a Григорьев, Денис Валерьевич 
610 1 |a физика 
610 1 |a полупроводниковые соединения 
610 1 |a эпитаксиальные пленки 
610 1 |a радиационные воздействия 
610 1 |a высокоэнергетические частицы 
610 1 |a ионы 
610 1 |a облучение 
610 1 |a кристаллы 
610 1 |a выращивание 
610 1 |a молекулярно-лучевая эпитаксия 
610 1 |a ионная имплантация 
610 1 |a электрофизические параметры 
610 1 |a измерение 
610 1 |a электроны 
610 1 |a теллурид кадмия ртути 
610 1 |a теллурид кадмия цинка 
610 1 |a радиационное дефектообразование 
610 1 |a моделирование 
610 1 |a электрически активные дефекты 
610 1 |a накопление 
610 1 |a распределение 
610 1 |a авторефераты диссертаций 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
610 1 |a электронный ресурс 
675 |a 537.311.322:539(04)  |v 3 
686 |a 01.04.10  |2 oksvnk 
700 1 |a Григорьев  |b Д. В.  |g Денис Валерьевич 
702 1 |a Войцеховский  |b А. В.  |g Александр Васильевич  |4 727 
712 0 2 |a Томский государственный университет (ТГУ)  |b Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (СФТИ)  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\861 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20060118  |g PSBO 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20151116  |g PSBO 
856 4 |u http://www.lib.tpu.ru/fulltext/a/2005/31.pdf 
942 |c CF