Моделирование технологии и параметров кремниевых наноразмерных транзисторных структур учебное пособие для вузов
Автор: | |
---|---|
Інші автори: | , |
Резюме: | Рекомендовано УМО «Ядерные физика и технологии» в качестве учебного пособия для студентов высших учебных заведений Составлено в соответствии с Государственным образовательным стандартом по дисциплине «Наноэлектронная технология». Изложены основные темы учебного материала, входящего в лекционный курс. А именно: рассмотрены вопросы математического моделирования процессов ионного внедрения примесей в кремний с использованием как «ручного» так и программного моделирования с помощью универсальной программы технологического моделирования T-CAD фирмы Synopsys. Представлены основные принципы работы с программой, включая списки команд, обеспечивающих моделирование технологии, электрофизических и электрических характеристик классического МДП-транзис-тора. Рассмотрены результаты моделирования наноразмерных МДП-транзисторов. Методика изложения материала позволяет студентам узнать теоретические вопросы и практически освоить основы программы T-CAD. Это первое учебное пособие по программе T-CAD на русском языке. Предназначено для студентов направлений подготовки по электронике. Книга из коллекции НИЯУ МИФИ - Инженерно-технические науки |
Опубліковано: |
Москва, НИЯУ МИФИ, 2012
|
Предмети: | |
Онлайн доступ: | http://e.lanbook.com/books/element.php?pl1_id=75726 https://e.lanbook.com/img/cover/book/75726.jpg |
Формат: | Електронний ресурс Книга |