|
|
|
|
| LEADER |
00000nam2a2200000 4500 |
| 001 |
74633 |
| 005 |
20231031085614.0 |
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\book\79600
|
| 090 |
|
|
|a 74633
|
| 100 |
|
|
|a 20050310d1977 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a a z 101zy
|
| 200 |
0 |
|
|a Ч. 2
|f Сибирское отделение АН СССР, Институт физики полупроводников; под ред. Л. Н. Александрова
|
| 210 |
|
|
|d 1977
|
| 215 |
|
|
|a 358 с.
|c ил.
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр. в конце докл.
|
| 461 |
|
1 |
|0 (RuTPU)RU\TPU\book\93131
|t Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок
|o материалы симпозиума
|o в 2-х частях
|v Ч. 2
|d 1977
|
| 610 |
1 |
|
|a полупроводники
|
| 610 |
1 |
|
|a кристаллы
|
| 610 |
1 |
|
|a рост
|
| 610 |
1 |
|
|a полупроводниковые пленки
|
| 610 |
1 |
|
|a получение
|
| 610 |
1 |
|
|a сборники
|
| 610 |
1 |
|
|a симпозиумы
|
| 675 |
|
|
|a 621.315.592(063)
|v 3
|
| 702 |
|
1 |
|a Александров
|b Л. Н.
|4 340
|
| 712 |
0 |
2 |
|a Академия наук СССР
|b Сибирское отделение
|b Институт физики полупроводников (АН СССР СО ИФП)
|c (Новосибирск)
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\col\11385
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20050310
|g PSBO
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20150416
|g PSBO
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
