• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Avançada
  • Ч. 2
  • Citar
  • Enviar aquest missatge de text
  • Enviar per correu electrònic aquest
  • Imprimir
  • Exportar registre
    • Exportar a RefWorks
    • Exportar a EndNoteWeb
    • Exportar a EndNote
  • Enllaç permanent
Ч. 2

Ч. 2

Dades bibliogràfiques
Parent link:Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок: материалы симпозиума. Ч. 2.— , 1977
Autor corporatiu: Академия наук СССР Сибирское отделение Институт физики полупроводников (АН СССР СО ИФП)
Altres autors: Александров Л. Н. (340)
Publicat: 1977
Matèries:
полупроводники
кристаллы
рост
полупроводниковые пленки
получение
сборники
симпозиумы
Format: Llibre
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=74633
  • Fons
  • Descripció
  • Ítems similars
  • Visualització del personal

Ítems similars

  • Ч. 1
    Publicat: (1977)
  • Процессы роста полупроводниковых кристаллов и пленок
    Publicat: (Новосибирск, Наука, 1988)
  • Кинетика кристаллизации и перекристализации полупроводниковых плёнок
    per: Александров Л. Н. Леонид Наумович
    Publicat: (Новосибирск, Наука, 1985)
  • Синтез и рост совершенных кристаллов и пленок полупроводников сборник статей
    Publicat: (Новосибирск, Наука, 1981)
  • Искусственная эпитаксия - перспективная технология элементной базы микроэлектроники
    per: Гиваргизов Е. И. Евгений Инвиевич
    Publicat: (Москва, Наука, 1988)