Формирование состава в подрешётке пятой группы твёрдых растворов GaPxAs1-x(001) и InAsxSb1-x(001) при молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11

Podrobná bibliografie
Hlavní autor: Емельянов Е. А. Евгений Александрович
Korporativní autor: Российская академия наук Сибирское отделение Институт физики полупроводников (570)
Další autoři: Преображенский В. В. Валерий Владимирович (научный руководитель)
Shrnutí:Защита сост. 28.04.2026
На правах рукописи
Jazyk:ruština
Vydáno: Новосибирск, 2026
Témata:
Médium: Kniha
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=686785

MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 686785
005 20260724135754.0
090 |a 686785 
100 |a 20260609d2026 k||y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a y dm 001yy 
181 0 |a i   |b  e  
182 0 |a n 
183 0 |a nc  |2 RDAcarrier 
200 1 |a Формирование состава в подрешётке пятой группы твёрдых растворов GaPxAs1-x(001) и InAsxSb1-x(001) при молекулярно-лучевой эпитаксии  |e  автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук  |e спец. 1.3.11  |f Емельянов Евгений Александрович  |g науч. рук. В. В. Преображенский ; Институт физики полупроводников СО РАН 
203 |a Текст  |b визуальный  |c непосредственный 
210 1 |a Новосибирск  |d 2026 
215 |a 28 с. 
283 |a volume  |2 RDAcarrier 
300 |a Защита сост. 28.04.2026 
320 |a Библиогр.: с. 23-28 
333 |a На правах рукописи 
606 |a Полупроводники  |x Кинетика  |9 69215 
610 1 |a физика 
610 1 |a твердые растворы 
610 1 |a молекулярно-лучевая эпитаксия 
610 1 |a гетероструктуры 
610 1 |a рост 
610 1 |a тонкие пленки 
610 1 |a выращивание 
610 1 |a состав 
610 1 |a замещение 
610 1 |a поверхностные свойства 
610 1 |a авторефераты диссертаций 
675 |a 537.311.322  |v 4 
686 |2 oksvnk  |a 01.04.10 
700 1 |a Емельянов  |b Е. А.   |g Евгений Александрович 
702 1 |4 727  |a Преображенский  |b В. В.  |g Валерий Владимирович 
712 0 2 |a Российская академия наук  |b Сибирское отделение  |b Институт физики полупроводников  |c (Новосибирск)  |4 570  |9 23267 
801 0 |a RU  |b 63413507  |c 20260701 
850 |a 63413507 
942 |c BK