Формирование состава в подрешётке пятой группы твёрдых растворов GaPxAs1-x(001) и InAsxSb1-x(001) при молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11

Формирование состава в подрешётке пятой группы твёрдых растворов GaPxAs1-x(001) и InAsxSb1-x(001) при молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11

Bibliographic Details
Main Author: Емельянов Е. А. Евгений Александрович
Corporate Author: Российская академия наук Сибирское отделение Институт физики полупроводников (570)
Other Authors: Преображенский В. В. Валерий Владимирович (научный руководитель)
Summary:Защита сост. 28.04.2026
На правах рукописи
Language:Russian
Published: Новосибирск, 2026
Subjects:
Полупроводники > Кинетика
физика
твердые растворы
молекулярно-лучевая эпитаксия
гетероструктуры
рост
тонкие пленки
выращивание
состав
замещение
поверхностные свойства
авторефераты диссертаций
Format: Book
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=686785

Similar Items