Механизм локальных повреждений фотоэлементов электронами геомагнитной плазмы; Журнал технической физики; Т. 95, вып. 7
| Parent link: | Журнал технической физики=Technical Physics.— .— Санкт-Петербург: Наука.— 0044-4642 Т. 95, вып. 7.— 2025.— С. 1392-1403 |
|---|---|
| Altres autors: | , , , , |
| Sumari: | Заглавие с экрана Применительно к начальному времени срока активного существования космического аппарата экспериментально исследованы процессы аномальной деградации мощности солнечных InGaP/GaAs/Ge-фотоэлементов при стендовых испытаниях на воздействие геомагнитной плазмы путем моделирования электронной компоненты плазмы с учетом периодического пересечении орбитой космического аппарата радиационного пояса Земли, включая авроральную зону. Методами видеорегистрации электролюминесценции и измерения темновых вольт-амперных характеристик в стендовых условиях, а также методами микроскопии, абсолютной спектрометрии электролюминесценции и темновых вольт-амперных характеристик после окончания стендовых испытаний установлены процессы аномальной деградации фотоэлементов, происходящие с участием технологических микродефектов поверхности и микропробоев покровных стекол К-208. Предложен феноменологический ударный механизм аномальной ускоренной деградации мощности фотоэлементов на начальном этапе существования космического аппарата. Наиболее высокая скорость аномальной деградации мощности наблюдается для фотоэлементов, имеющих технологические дефекты p-n-переходов Текстовый файл |
| Idioma: | rus |
| Publicat: |
2025
|
| Matèries: | |
| Accés en línia: | https://journals.ioffe.ru/articles/60662 |
| Format: | Electrònic Capítol de llibre |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=685887 |