Влияние плотности энергии высокоинтенсивного пучка ионов титана на накопление и диффузию в кремнии; Физика и техника полупроводников; Т. 59, вып. 3
| Parent link: | Физика и техника полупроводников.— .— Санкт-Петербург: Наука.— 0015-3222 Т. 59, вып. 3.— 2025.— С. 150-152 |
|---|---|
| Altri autori: | , , , , |
| Riassunto: | Заглавие с экрана Методом синергии высокоинтенсивной имплантации и одновременного энергетического воздействия пучка ионов титана с плотностью тока 1.6 А/см2 на поверхность кремния сформированы ионно-легированные слои толщиной до 2.6 мкм. Представлены результаты закономерностей накопления титана в кремнии от длительности и частоты импульсов при фиксированной плотности мощности ионного пучка 9.6·104 Вт/см2. Методом электронной оже-спектроскопии получены распределения примеси по глубине модифицированного слоя. Рентгенофазовый анализ показал наличие фаз дисилицида титана TiSi2, силицид титана TiSi Ion-doped layers with a thickness up to 2.6 μm were formed using the method of synergy of high-intensity implantation and simultaneous energy impact of a titanium ion beam with a current density of 1.6 A/cm2 on the silicon surface. The article presents the results of the regularities of titanium accumulation in silicon from the duration and frequency of pulses, when a power density of the ion beam is fixed - 9.6 W/cm2. The Auger electron spectroscopy method was used to obtain dopant distributions over the modified layer depth. X-ray phase analysis demonstrated the presence of titanium disilicide TiSi2 and titanium silicide TiSi phases Текстовый файл |
| Lingua: | russo |
| Pubblicazione: |
2025
|
| Soggetti: | |
| Accesso online: | https://journals.ioffe.ru/articles/61093 https://elibrary.ru/item.asp?id=84085269 |
| Natura: | Elettronico Capitolo di libro |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=685625 |
MARC
| LEADER | 00000naa0a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 685625 | ||
| 005 | 20260324161657.0 | ||
| 090 | |a 685625 | ||
| 100 | |a 20260324d2025 k||y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 135 | |a drcn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i |b e | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 183 | 0 | |a cz |2 RDAcarrier | |
| 200 | 1 | |a Влияние плотности энергии высокоинтенсивного пучка ионов титана на накопление и диффузию в кремнии |d Influence of high-intensity titanium ion beam energy density on dopant accumulation and diffusion in silicon |f А. И. Иванова, О. С. Корнева, И. А. Божко [и др.] | |
| 203 | |a Текст |c электронный |b визуальный | ||
| 283 | |a online_resource |2 RDAcarrier | ||
| 300 | |a Заглавие с экрана | ||
| 320 | |a Список литературы: 15 назв | ||
| 330 | |a Методом синергии высокоинтенсивной имплантации и одновременного энергетического воздействия пучка ионов титана с плотностью тока 1.6 А/см2 на поверхность кремния сформированы ионно-легированные слои толщиной до 2.6 мкм. Представлены результаты закономерностей накопления титана в кремнии от длительности и частоты импульсов при фиксированной плотности мощности ионного пучка 9.6·104 Вт/см2. Методом электронной оже-спектроскопии получены распределения примеси по глубине модифицированного слоя. Рентгенофазовый анализ показал наличие фаз дисилицида титана TiSi2, силицид титана TiSi | ||
| 330 | |a Ion-doped layers with a thickness up to 2.6 μm were formed using the method of synergy of high-intensity implantation and simultaneous energy impact of a titanium ion beam with a current density of 1.6 A/cm2 on the silicon surface. The article presents the results of the regularities of titanium accumulation in silicon from the duration and frequency of pulses, when a power density of the ion beam is fixed - 9.6 W/cm2. The Auger electron spectroscopy method was used to obtain dopant distributions over the modified layer depth. X-ray phase analysis demonstrated the presence of titanium disilicide TiSi2 and titanium silicide TiSi phases | ||
| 336 | |a Текстовый файл | ||
| 461 | 1 | |9 379912 |t Физика и техника полупроводников |c Санкт-Петербург |n Наука |x 0015-3222 | |
| 463 | 1 | |t Т. 59, вып. 3 |v С. 150-152 |d 2025 | |
| 610 | 1 | |a синергия | |
| 610 | 1 | |a высокоинтенсивная имплантация | |
| 610 | 1 | |a энергетическое воздействие | |
| 610 | 1 | |a плотность энергии | |
| 610 | 1 | |a диффузия | |
| 610 | 1 | |a титан | |
| 610 | 1 | |a кремний | |
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 701 | 1 | |a Иванова |b А. И. |c физик |c младший научный сотрудник Томского политехнического университета |f 1987- |g Анна Ивановна |9 20001 | |
| 701 | 1 | |a Корнева |b О. С. |c физик |c инженер Томского политехнического университета |f 1988- |g Ольга Сергеевна |9 19812 | |
| 701 | 1 | |a Божко |b И. А. |c физик |c доцент Томского политехнического университета, кандидат физико-математических наук |f 1980- |g Ирина Александровна |9 14943 | |
| 701 | 1 | |a Дектярев |b С. В. |c физик |c инженер-проектировщик Томского политехнического университета |f 1957- |g Сергей Валентинович |9 17401 | |
| 701 | 1 | |a Гурулев |b А. В. |c физик |c инженер Томского политехнического университета |f 1998- |g Александр Валерьевич |9 88472 | |
| 801 | 0 | |a RU |b 63413507 |c 20260324 |g RCR | |
| 856 | 4 | 0 | |u https://journals.ioffe.ru/articles/61093 |z https://journals.ioffe.ru/articles/61093 |
| 856 | 4 | 0 | |u https://elibrary.ru/item.asp?id=84085269 |z https://elibrary.ru/item.asp?id=84085269 |
| 942 | |c CF | ||