Влияние плотности энергии высокоинтенсивного пучка ионов титана на накопление и диффузию в кремнии; Физика и техника полупроводников; Т. 59, вып. 3
| Parent link: | Физика и техника полупроводников.— .— Санкт-Петербург: Наука.— 0015-3222 Т. 59, вып. 3.— 2025.— С. 150-152 |
|---|---|
| Other Authors: | , , , , |
| Summary: | Заглавие с экрана Методом синергии высокоинтенсивной имплантации и одновременного энергетического воздействия пучка ионов титана с плотностью тока 1.6 А/см2 на поверхность кремния сформированы ионно-легированные слои толщиной до 2.6 мкм. Представлены результаты закономерностей накопления титана в кремнии от длительности и частоты импульсов при фиксированной плотности мощности ионного пучка 9.6·104 Вт/см2. Методом электронной оже-спектроскопии получены распределения примеси по глубине модифицированного слоя. Рентгенофазовый анализ показал наличие фаз дисилицида титана TiSi2, силицид титана TiSi Ion-doped layers with a thickness up to 2.6 μm were formed using the method of synergy of high-intensity implantation and simultaneous energy impact of a titanium ion beam with a current density of 1.6 A/cm2 on the silicon surface. The article presents the results of the regularities of titanium accumulation in silicon from the duration and frequency of pulses, when a power density of the ion beam is fixed - 9.6 W/cm2. The Auger electron spectroscopy method was used to obtain dopant distributions over the modified layer depth. X-ray phase analysis demonstrated the presence of titanium disilicide TiSi2 and titanium silicide TiSi phases Текстовый файл |
| Language: | Russian |
| Published: |
2025
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://journals.ioffe.ru/articles/61093 https://elibrary.ru/item.asp?id=84085269 |
| Format: | Electronic Book Chapter |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=685625 |