Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 1.3.11

Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии, автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 1.3.11

Bibliografski detalji
Glavni autor:	Майдэбура Я. Е. Ян Евгеньевич
Autor kompanije:	Российская академия наук Сибирское отделение Институт физики полупроводников (570)
Daljnji autori:	Мансуров В. Г. Владимир Геннадьевич (727)
Sažetak:	Защита сот. 27.01.2026 г. На правах рукописи
Jezik:	ruski
Izdano:	Новосибирск, 2025
Teme:	физика получение квантовые точки полупроводниковые наноструктуры галлий аммиачная молекулярно-лучевая эпитаксия GaN эпитаксиальный рост авторефераты диссертаций
Format:	Knjiga
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=684506

Slični predmeti

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 1.3.11
od: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Izdano: (Новосибирск, 2025)

Стимулированная люминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком
od: Цзысюань Ли
Izdano: (2023)

Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN
Izdano: (2016)

Structural Changes in a Single GaN Nanowire under Applied Voltage Bias
Izdano: (2018)

Influence of Contacts and Applied Voltage on a Structure of a Single GaN Nanowire
Izdano: (2021)

High-performance and broadband photodetection of bicrystalline (GaN)1-x(ZnO)x solid solution nanowires via crystal defect engineering
Izdano: (2021)

Эпитаксиальные методы получения наноразмерных гетероструктур InGaAlP
od: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Izdano: (2012)

К вопросу автоматизированных испытаний силовых коммутационных GaN транзисторов
od: Томашевич А. А.
Izdano: (2017)

Физическое моделирование GaN/AlGaN HEMTнаногетероструктур и мощных СВЧ-транзисторовс использованием пакета Synopsys
Izdano: (2012)

Самокаталитический рост планарных нанопороволок и ленгмюровское испарение GaAs: моделирование методом Монте Карло автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 1.3.11
od: Спирина А. А. Анна Александровна
Izdano: (Новосибирск, 2023)

Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 3. Эпитаксиальный рост учебник для вузов
od: Александрова О. А.
Izdano: (Санкт-Петербург, Лань, 2023)

Производство аммиачной селитры
od: Миниович М. А. Марк Александрович
Izdano: (Москва, Химия, 1968)

Спектрометрические характеристики HR-GaAs:Cr сенсоров рентгеновского излучения автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 1.3.11
od: Щербаков И. Д. Иван Дмитриевич
Izdano: (Томск, 2023)

Формирование тонких пленок учебное пособие
od: Кирсанова Т. С. Татьяна Сергеевна
Izdano: (Ленинград, Изд-во ЛПИ, 1983)

Производство аммиачной селитры
od: Богуславский В. Н. Виктор Николаевич
Izdano: (Киев, Технiка, 1967)

Развитие эпитаксии GaAs- от слитков к ультратонким пленкам. Выращивание слоев для наноструктурных приборов
od: Нишизава Дж.-И.
Izdano: (2003)

Технология аммиачной селитры
Izdano: (Москва, Химия, 1978)

Производство аммиачной селитры в агрегатах большой единичной мощности
Izdano: (Москва, Химия, 1990)

Технология аммиачной селитры
od: Дубовицкий А. М.
Izdano: (Москва, Госхимиздат, 1949)

Производство аммиачной селитры
od: Миниович М. А. Марк Александрович
Izdano: (Москва, Химия, 1974)

Производство аммиачной селитры учебное пособие
od: Дубовицкий А. М.
Izdano: (Москва, ГОНТИ, 1938)

Формирование гетероструктур наноприборов методом МЛЭ
od: Шашурин В. Д.
Izdano: (Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2009)

Вольтамперная характеристика InGaTe₂
od: Годжаев Э. М. Эльдар Мехрали оглы
Izdano: (2015)

Pulsed ion beam formation of highly doped GaAs layers
Izdano: (1998)

Технологии получения гетероструктур AlGaInP
od: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Izdano: (2012)

Развитие эпитаксии в минералах, растениях и животном мире
od: Киреева А. Е. Александра Евгеньевна
Izdano: (2016)

Наблюдение эпитаксии в минералах и растительном мире
od: Киреева А. Е. Александра Евгеньевна
Izdano: (2016)

Фоточувствительные структуры и солнечные элементы на основе арсенида галлия
Izdano: (Ташкент, Фан, 1986)

Исследование деградации мощности излучения гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами
od: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Izdano: (2013)

Проблема эпитаксии минералов, плодов и корнеплодов
od: Сальников В. Н. Владимир Николаевич
Izdano: (2017)

Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией
od: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Izdano: (2010)

Особенности формирования AIN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10
od: Милахин Д. С. Денис Сергеевич
Izdano: (Новосибирск, [Б. и.], 2021)

Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления пер. с англ.
Izdano: (Москва, Радио и связь, 1988)

Исследование изменения электрофизических характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP (λ=624 нм) с множественными квантовыми ямами при воздействии быстрых нейтронов
od: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Izdano: (2016)

Изменение вольт-амперных характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами и быстрыми нейтронами
od: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Izdano: (2013)

Почва как источник эпитаксии плодов и корнеплодов
od: Сальников В. Н. Владимир Николаевич
Izdano: (2016)

Самоформирование ситемы высокоупорядоченных наноостровков германия при эпитаксии на профилированные кремниевые (111) подложки в условиях электропереноса
od: Закурдаев И. В.
Izdano: (2002)

Определение параметров детектора рентгеновского излучения GaAs-512-0.1
od: Синягина М. А.
Izdano: (2013)

Особенности фотопроводимости компенсированного i-GaAs в области спектра hv>E[ g]
Izdano: (2003)

Эрозия мишени из GaAs при воздействии импульсного мощного ионного пучка
Izdano: (2007)