Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11

Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11

Dettagli Bibliografici
Autore principale:	Майдэбура Я. Е. Ян Евгеньевич
Ente Autore:	Российская академия наук Сибирское отделение Институт физики полупроводников (570)
Altri autori:	Мансуров В. Г. Владимир Геннадьевич (научный руководитель)
Riassunto:	Защита сост. 27.01.2026 На правах рукописи
Lingua:	russo
Pubblicazione:	Новосибирск, 2025
Soggetti:	Пленки тонкие > Исследование > (твердые тела) физика получение квантовые точки полупроводниковые наноструктуры галлий аммиачная молекулярно-лучевая эпитаксия GaN эпитаксиальный рост авторефераты диссертаций
Natura:	Libro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=684506

Documenti analoghi

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.11
di: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Pubblicazione: (Новосибирск, 2025)

Стимулированная люминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика
di: Цзысюань Ли
Pubblicazione: (2023)

Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
Pubblicazione: (2016)

Structural Changes in a Single GaN Nanowire under Applied Voltage Bias; Nano Letters; Vol. 18, iss. 9
Pubblicazione: (2018)

Influence of Contacts and Applied Voltage on a Structure of a Single GaN Nanowire; Applied Sciences; Vol. 11, iss. 20
Pubblicazione: (2021)

High-performance and broadband photodetection of bicrystalline (GaN)1-x(ZnO)x solid solution nanowires via crystal defect engineering; Journal of Materials Science & Technology; Vol. 85
Pubblicazione: (2021)

Самокаталитический рост планарных нанопороволок и ленгмюровское испарение GaAs: моделирование методом Монте Карло: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
di: Спирина А. А. Анна Александровна
Pubblicazione: (Новосибирск, 2023)

Спектрометрические характеристики HR-GaAs:Cr сенсоров рентгеновского излучения: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
di: Щербаков И. Д. Иван Дмитриевич
Pubblicazione: (Томск, 2023)

Эпитаксиальные методы получения наноразмерных гетероструктур InGaAlP; Актуальные проблемы биохимии и бионанотехнологии; Т. 2
di: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Pubblicazione: (2012)

Производство аммиачной селитры
di: Миниович М. А. Марк Александрович
Pubblicazione: (Москва, Химия, 1968)

Физическое моделирование GaN/AlGaN HEMTнаногетероструктур и мощных СВЧ-транзисторовс использованием пакета Synopsys; Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники; № 2 (26), ч. 2
Pubblicazione: (2012)

Формирование тонких пленок: учебное пособие
di: Кирсанова Т. С. Татьяна Сергеевна
Pubblicazione: (Ленинград, Изд-во ЛПИ, 1983)

К вопросу автоматизированных испытаний силовых коммутационных GaN транзисторов; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 7 : IT-технологии и электроника
di: Томашевич А. А.
Pubblicazione: (2017)

Производство аммиачной селитры
di: Богуславский В. Н. Виктор Николаевич
Pubblicazione: (Киев, Технiка, 1967)

Производство аммиачной селитры в агрегатах большой единичной мощности
Pubblicazione: (Москва, Химия, 1990)

Технология аммиачной селитры
Pubblicazione: (Москва, Химия, 1978)

Развитие эпитаксии GaAs- от слитков к ультратонким пленкам. Выращивание слоев для наноструктурных приборов; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6
di: Нишизава Дж.-И.
Pubblicazione: (2003)

Технология аммиачной селитры
di: Дубовицкий А. М.
Pubblicazione: (Москва, Госхимиздат, 1949)

Производство аммиачной селитры
di: Миниович М. А. Марк Александрович
Pubblicazione: (Москва, Химия, 1974)

Формирование состава в подрешётке пятой группы твёрдых растворов GaPxAs1-x(001) и InAsxSb1-x(001) при молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
di: Емельянов Е. А. Евгений Александрович
Pubblicazione: (Новосибирск, 2026)

Производство аммиачной селитры: учебное пособие
di: Дубовицкий А. М.
Pubblicazione: (Москва, ГОНТИ, 1938)

Формирование гетероструктур наноприборов методом МЛЭ
di: Шашурин В. Д.
Pubblicazione: (Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2009)

Т. 4 : Молекулярно-лучевая эпитаксия. Поверхность; 7 Всесоюзная конференция по росту кристаллов; Симпозиум по молекулярно-лучевой эпитаксии, Москва, 14-19 ноября 1988 г.
Pubblicazione: (1988)

Фоточувствительные структуры и солнечные элементы на основе арсенида галлия
Pubblicazione: (Ташкент, Фан, 1986)

Исследование деградации мощности излучения гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами; Журнал радиоэлектроники; № 4
di: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Pubblicazione: (2013)

Технологии получения гетероструктур AlGaInP; Инновации в машиностроении
di: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Pubblicazione: (2012)

Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2010
di: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Pubblicazione: (2010)

Глубокое обучение с TensorFlow, Keras и PyTorch
Pubblicazione: (Москва, ДМК Пресс, 2025)

Исследование изменения электрофизических характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP (λ=624 нм) с множественными квантовыми ямами при воздействии быстрых нейтронов; Журнал радиоэлектроники; № 10
di: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Pubblicazione: (2016)

Изменение вольт-амперных характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами и быстрыми нейтронами; Журнал радиоэлектроники; № 10
di: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Pubblicazione: (2013)

Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления: пер. с англ.
Pubblicazione: (Москва, Радио и связь, 1988)

Сверхструктурные переходы при синтезе гетероэпитаксиальных пленок Ge/Si, GeSi/Si методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
di: Дирко В. В. Владимир Владиславович
Pubblicazione: (Томск, [Б. и.], 2022)

Наблюдение эпитаксии в минералах и растительном мире; Ломоносов-2016
di: Киреева А. Е. Александра Евгеньевна
Pubblicazione: (2016)

Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида галлия методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений описание лабораторной работы
di: Байдусь Н. В.
Pubblicazione: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 1999)

Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2012
di: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Pubblicazione: (2012)

Вольтамперная характеристика InGaTe₂; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 326, № 5
di: Годжаев Э. М. Эльдар Мехрали оглы
Pubblicazione: (2015)

Безопасность аммиачной селитры и ее применение в промышленных взрывчатых веществах: монография
di: Михайлов Ю. М. Юрий Михайлович
Pubblicazione: (Дзержинск, Партнер-плюс, 2008)

Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры: пер. с англ.
Pubblicazione: (Москва, Мир, 1989)

Физико-химические основы жидкофазной эпитаксии
di: Уфимцев В. Б. Всеволод Борисович
Pubblicazione: (Москва, Металлургия, 1983)

Особенности фотопроводимости компенсированного i-GaAs в области спектра hv>E[ g]; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 4
Pubblicazione: (2003)