Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11

Xehetasun bibliografikoak
Egile nagusia:	Майдэбура Я. Е. Ян Евгеньевич
Erakunde egilea:	Российская академия наук Сибирское отделение Институт физики полупроводников (570)
Beste egile batzuk:	Мансуров В. Г. Владимир Геннадьевич (научный руководитель)
Gaia:	Защита сост. 27.01.2026 На правах рукописи
Hizkuntza:	errusiera
Argitaratua:	Новосибирск, 2025
Gaiak:	Пленки тонкие > Исследование > (твердые тела) физика получение квантовые точки полупроводниковые наноструктуры галлий аммиачная молекулярно-лучевая эпитаксия GaN эпитаксиальный рост авторефераты диссертаций
Formatua:	Liburua
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=684506

Antzeko izenburuak