Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11

Detalles Bibliográficos
Autor principal:	Майдэбура Я. Е. Ян Евгеньевич
Autor Corporativo:	Российская академия наук Сибирское отделение Институт физики полупроводников (570)
Otros Autores:	Мансуров В. Г. Владимир Геннадьевич (научный руководитель)
Sumario:	Защита сост. 27.01.2026 На правах рукописи
Lenguaje:	ruso
Publicado:	Новосибирск, 2025
Materias:	Пленки тонкие > Исследование > (твердые тела) физика получение квантовые точки полупроводниковые наноструктуры галлий аммиачная молекулярно-лучевая эпитаксия GaN эпитаксиальный рост авторефераты диссертаций
Formato:	Libro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=684506

Ejemplares similares