Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии, автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 1.3.11

Gelijkaardige items

• Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 1.3.11
  door: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
  Gepubliceerd in: (Новосибирск, 2025)
• Стимулированная люминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком
  door: Цзысюань Ли
  Gepubliceerd in: (2023)
• Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN
  Gepubliceerd in: (2016)
• Structural Changes in a Single GaN Nanowire under Applied Voltage Bias
  Gepubliceerd in: (2018)
• Influence of Contacts and Applied Voltage on a Structure of a Single GaN Nanowire
  Gepubliceerd in: (2021)