Влияние плотности дислокаций на суперлюминесценцию эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфировых подложках; Прикладная физика; № 3
| Parent link: | Научно-производственное объединение "ОРИОН". Прикладная физика=Plasma Physics Reports: научно-технический журнал.— .— Москва: НПО Орион, 1994-.— 1996-0948 № 3.— 2024.— С. 58-62 |
|---|---|
| Autor principal: | |
| Autor corporatiu: | |
| Altres autors: | |
| Sumari: | Заглавие с экрана Исследованы излучательные свойства эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфировых подложках. Образцы возбуждались сильноточным электронным пучком с плотностью энергии 0,4 Дж/см 2 . Установлена корреляция интенсивности суперлюминесценции с плотностью дислокаций. Показано, что с уменьшением плотности дислокаций на длинноволновом крыле спонтанной люминесценции формируется пик суперлюминесценции, интенсивность которой нарастает с уменьшением плотности дислокаций. The radiative properties of GaN epitaxial layers grown by organometallic gas-phase epitaxy on sapphire substrates have been studied. The samples were excited by a high-current electron beam with an energy density of 0.4 J/cm2 . The correlation of the intensity of superluminescence with the density of dislocations has been established. It is shown that with a decrease in the density of dislocations on the long-wavelength wing of spontaneous luminescence, a peak of superluminescence is formed, the intensity of which increases with a decrease in the density of dislocations. Текстовый файл |
| Idioma: | rus |
| Publicat: |
2024
|
| Col·lecció: | Фотоэлектроника |
| Matèries: | |
| Accés en línia: | https://applphys.orion-ir.ru/appl-24/24-3/PF-24-3-058_RU.pdf |
| Format: | Electrònic Capítol de llibre |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=673488 |
Ítems similars
Генерация и транспортировка сильноточных низкоэнергетичных электронных пучков в системе с газонаполненным диодом; Журнал технической физики; Т. 68, № 1
per: Девятков В. Н.
Publicat: (1998)
per: Девятков В. Н.
Publicat: (1998)
Деформационное поведение и откольное разрушение стали гадфильда при ударно-волновом нагружении; Известия вузов. Физика; Т. 53, № 10
Publicat: (2010)
Publicat: (2010)
Вып. 1; Электростатическое и электромагнитное удержание плазмы
Publicat: (1977)
Publicat: (1977)
Транспортировка в вакуумном канале электронного пучка, формируемого в диоде Плютто-Люса; Письма в Журнал технической физики; Т. 52, № 11
Publicat: (2026)
Publicat: (2026)
Люминесцентный контроль светодиодных гетероструктур, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфире; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE); Radiation Physics and Chemistry of Condensed Matter
per: Ли Цзысюань
Publicat: (2022)
per: Ли Цзысюань
Publicat: (2022)
Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида галлия методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений описание лабораторной работы
per: Байдусь Н. В.
Publicat: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 1999)
per: Байдусь Н. В.
Publicat: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 1999)
Воздействие импульсного пучка электронов на газо-фазные галогениды кремния и вольфрама: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
per: Пушкарёв А. И. Александр Иванович
Publicat: (Томск, [Б. и.], 2002)
per: Пушкарёв А. И. Александр Иванович
Publicat: (Томск, [Б. и.], 2002)
Воздействие импульсного пучка электронов на газо-фазные галогениды кремния и вольфрама: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 05.14.12; спец. 01.04.08
per: Пушкарёв А. И. Александр Иванович
Publicat: (Томск, [Б. и.], 2002)
per: Пушкарёв А. И. Александр Иванович
Publicat: (Томск, [Б. и.], 2002)
Воздействие импульсного пучка электронов на газо-фазные галогениды кремния и вольфрама: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 05.14.12; спец. 01.04.08
per: Пушкарев А. И. Александр Иванович
Publicat: (Томск, 2002)
per: Пушкарев А. И. Александр Иванович
Publicat: (Томск, 2002)
Импульсная люминесцентная спектрометрия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках AL2O3; Ресурсоэффективным технологиям - энергию и энтузиазм молодых
per: Сычева А. В.
Publicat: (2014)
per: Сычева А. В.
Publicat: (2014)
Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
per: Олешко В. И. Владимир Иванович
Publicat: (2013)
per: Олешко В. И. Владимир Иванович
Publicat: (2013)
Время-разрешенная люминесцентная спектроскопия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках Al2O3; Современные техника и технологии; Т. 2
per: Горина С. Г. Светлана Геннадьевна
Publicat: (2014)
per: Горина С. Г. Светлана Геннадьевна
Publicat: (2014)
Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе
per: Черняев В. Н. Владимир Николаевич
Publicat: (Москва, Энергия, 1974)
per: Черняев В. Н. Владимир Николаевич
Publicat: (Москва, Энергия, 1974)
Деградация светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN при возбуждении сильноточным электронным пучком; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
per: Олешко В. И. Владимир Иванович
Publicat: (2013)
per: Олешко В. И. Владимир Иванович
Publicat: (2013)
Имульсная люминесценция гетероструктур на основе GaN; Современные техника и технологии; Т. 3
per: Васенев А. С.
Publicat: (2012)
per: Васенев А. С.
Publicat: (2012)
Разработка методологии контроля чистоты сапфировых подложек для изготовления гетеротранзисторов и оптоэлектронных приборов на основе нитрида галлия; Химия и химическая технология на рубеже тысячелетий
per: Гурская А. А.
Publicat: (2004)
per: Гурская А. А.
Publicat: (2004)
Разработка макета дискретного быстродействующего драйвера управления силовыми GaN транзисторами; Интеллектуальные энергосистемы; Т. 3
per: Ерофеев Е. В.
Publicat: (2017)
per: Ерофеев Е. В.
Publicat: (2017)
Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
Publicat: (2013)
Publicat: (2013)
Методы контроля качества монокристаллов арсенида галлия и фосфида индия эпитаксиальных слоев.; Исследование распределения напряжений в монокристаллах и эпитаксиальных слоях: Промежуточный отчет о НИР; Тема: х/д 2-51/86
Publicat: (Томск, 1989)
Publicat: (Томск, 1989)
Влияние дислокаций на люминесценцию эпитаксиальных слоев GaN; Высокие технологии в современной науке и технике
Publicat: (2015)
Publicat: (2015)
Исследования инерционного сжатия топливной мишени пучком тяжелых ионов; Атомная техника за рубежом; № 12
per: Бронников В. А.
Publicat: (2004)
per: Бронников В. А.
Publicat: (2004)
Исследование потерь импульсного электронного пучка при формировании и выводе из диодной камеры ускорителя; Приборы и техника эксперимента; № 5
per: Пушкарёв А. И. Александр Иванович
Publicat: (2007)
per: Пушкарёв А. И. Александр Иванович
Publicat: (2007)
Характеристики ударно-волнового возмущения в металлах при облучении ионными пучками; Известия вузов. Физика; Т. 57, № 11-2
Publicat: (2014)
Publicat: (2014)
Оптические и волноводные свойства эпитаксиальных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 58, № 8-3
Publicat: (2015)
Publicat: (2015)
Четырехфотонная параметрическая суперлюминесценция монография
per: Кирин И. Г.
Publicat: (Оренбург, ОГУ, 2018)
per: Кирин И. Г.
Publicat: (Оренбург, ОГУ, 2018)
First measurement of the circular beam asymmetry in the γ→pπ0ηp reaction; Physics Letters B; Vol. 693, iss. 5
Publicat: (2010)
Publicat: (2010)
Peculiarities of high-current electron beam effect on the structure of ni-ti alloy surface implanted by krypton ions; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 12-3
Publicat: (2012)
Publicat: (2012)
Определение координат центра гауссова пучка с помощью матричного фотоприемника методом взвешивания; Измерительная техника; № 12
per: Савченко Е. В.
Publicat: (2003)
per: Савченко Е. В.
Publicat: (2003)
General intense electron beams by means of a contracted arc discharge; Russian Physics Journal; Vol. 37, № 3
per: Devyatkov V. N.
Publicat: (1994)
per: Devyatkov V. N.
Publicat: (1994)
Cross-sectional TEM analysis of structural phase states in TiNi alloy treated by a low-energy high-current pulsed electron beam; Applied Surface Science; Vol. 327, № 1
Publicat: (2015)
Publicat: (2015)
Reconstruction of electron beam energy spectra for vacuumand gas diodes; Laser and Particle Beams; Vol. 33, № 2
Publicat: (2015)
Publicat: (2015)
Структурные превращения различных марок технического углерода под воздействием импульсного электронного пучка с высокой плотностью энергии; Каучук и резина; № 3
Publicat: (2013)
Publicat: (2013)
Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 1. От минерального сырья к монокристаллу учебник для вузов
per: Александрова О. А.
Publicat: (Санкт-Петербург, Лань, 2023)
per: Александрова О. А.
Publicat: (Санкт-Петербург, Лань, 2023)
Кинетическая теория квазистационарных состояний сильноточных пучков заряженных частиц
per: Чихачев А. С.
Publicat: (Москва, ФИЗМАТЛИТ, 2001)
per: Чихачев А. С.
Publicat: (Москва, ФИЗМАТЛИТ, 2001)
Полярографическое определение серы в порошках арсенида и фосфида галлия: отдельный оттиск
per: Каплан Б. Я.
Publicat: (Москва, [Б. и.], 1969)
per: Каплан Б. Я.
Publicat: (Москва, [Б. и.], 1969)
Investigation of the stability of the electron source with a multi-aperture plasma emitter generating a large cross-section electron beam; Journal of Physics: Conference Series; Vol. 652 : Gas Discharge Plasmas and Their Applications (GDP 2015)
Publicat: (2015)
Publicat: (2015)
Nonequilibrium structural condition in the medical TiNi-based alloy surface layer treated by electron beam; AIP Conference Proceedings; Vol. 1623 : International Conference on Physical Mesomechanics of Multilevel Systems 2014, Tomsk, Russia, 3–5 September 2014
Publicat: (2014)
Publicat: (2014)
Распределение освещенности в объеме диффузно-рассеивающей среды в области воздействия и за пределами лазерного пучка; Известия вузов. Физика; Т. 52, № 12-9
per: Агеева Е. П.
Publicat: (2009)
per: Агеева Е. П.
Publicat: (2009)
A facility for metal surface treatment with an electron beam; Instruments and Experimental Techniques; Vol. 48, № 1
Publicat: (2005)
Publicat: (2005)
The effect of ion current density amplification in a diode with passive anode in magnetic self-isolation mod; Physics of Plasmas; Vol. 17, iss. 12
per: Pushkarev A. I. Aleksandr Ivanovich
Publicat: (2010)
per: Pushkarev A. I. Aleksandr Ivanovich
Publicat: (2010)