Влияние плотности дислокаций на суперлюминесценцию эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфировых подложках

Bibliografiske detaljer
Parent link:Научно-производственное объединение "ОРИОН". Прикладная физика=Plasma Physics Reports: научно-технический журнал.— .— Москва: НПО Орион, 1994-.— 1996-0948
Hovedforfatter: Олешко В. И. Владимир Иванович
Institution som forfatter: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (570)
Andre forfattere: Zixuan Li
Summary:Заглавие с экрана
Исследованы излучательные свойства эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфировых подложках. Образцы возбуждались сильноточным электронным пучком с плотностью энергии  0,4 Дж/см 2 . Установлена корреляция интенсивности суперлюминесценции с плотностью дислокаций. Показано, что с уменьшением плотности дислокаций на длинноволновом крыле спонтанной люминесценции формируется пик суперлюминесценции, интенсивность которой нарастает с уменьшением плотности дислокаций.
The radiative properties of GaN epitaxial layers grown by organometallic gas-phase epitaxy on sapphire substrates have been studied. The samples were excited by a high-current electron beam with an energy density of 0.4 J/cm2 . The correlation of the intensity of superluminescence with the density of dislocations has been established. It is shown that with a decrease in the density of dislocations on the long-wavelength wing of spontaneous luminescence, a peak of superluminescence is formed, the intensity of which increases with a decrease in the density of dislocations.
Текстовый файл
Sprog:russisk
Udgivet: 2024
Serier:Фотоэлектроника
Fag:
Online adgang:https://applphys.orion-ir.ru/appl-24/24-3/PF-24-3-058_RU.pdf
Format: Electronisk Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=673488

Lignende værker