Влияние плотности дислокаций на суперлюминесценцию эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфировых подложках
| Parent link: | Научно-производственное объединение "ОРИОН". Прикладная физика=Plasma Physics Reports: научно-технический журнал.— .— Москва: НПО Орион, 1994-.— 1996-0948 |
|---|---|
| Hovedforfatter: | Олешко В. И. Владимир Иванович |
| Institution som forfatter: | Национальный исследовательский Томский политехнический университет (570) |
| Andre forfattere: | Zixuan Li |
| Summary: | Заглавие с экрана Исследованы излучательные свойства эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфировых подложках. Образцы возбуждались сильноточным электронным пучком с плотностью энергии 0,4 Дж/см 2 . Установлена корреляция интенсивности суперлюминесценции с плотностью дислокаций. Показано, что с уменьшением плотности дислокаций на длинноволновом крыле спонтанной люминесценции формируется пик суперлюминесценции, интенсивность которой нарастает с уменьшением плотности дислокаций. The radiative properties of GaN epitaxial layers grown by organometallic gas-phase epitaxy on sapphire substrates have been studied. The samples were excited by a high-current electron beam with an energy density of 0.4 J/cm2 . The correlation of the intensity of superluminescence with the density of dislocations has been established. It is shown that with a decrease in the density of dislocations on the long-wavelength wing of spontaneous luminescence, a peak of superluminescence is formed, the intensity of which increases with a decrease in the density of dislocations. Текстовый файл |
| Sprog: | russisk |
| Udgivet: |
2024
|
| Serier: | Фотоэлектроника |
| Fag: | |
| Online adgang: | https://applphys.orion-ir.ru/appl-24/24-3/PF-24-3-058_RU.pdf |
| Format: | Electronisk Book Chapter |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=673488 |
Lignende værker
Генерация и транспортировка сильноточных низкоэнергетичных электронных пучков в системе с газонаполненным диодом
af: Девятков В. Н.
Udgivet: (1998)
af: Девятков В. Н.
Udgivet: (1998)
Деформационное поведение и откольное разрушение стали гадфильда при ударно-волновом нагружении
Udgivet: (2010)
Udgivet: (2010)
Вып. 1
Udgivet: (1977)
Udgivet: (1977)
Люминесцентный контроль светодиодных гетероструктур, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфире
af: Ли Цзысюань
Udgivet: (2022)
af: Ли Цзысюань
Udgivet: (2022)
Импульсная люминесцентная спектрометрия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках AL2O3
af: Сычева А. В.
Udgivet: (2014)
af: Сычева А. В.
Udgivet: (2014)
Время-разрешенная люминесцентная спектроскопия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках Al2O3
af: Горина С. Г. Светлана Геннадьевна
Udgivet: (2014)
af: Горина С. Г. Светлана Геннадьевна
Udgivet: (2014)
Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN
af: Олешко В. И. Владимир Иванович
Udgivet: (2013)
af: Олешко В. И. Владимир Иванович
Udgivet: (2013)
Воздействие импульсного пучка электронов на газо-фазные галогениды кремния и вольфрама диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 05.14.12 спец. 01.04.08
af: Пушкарев А. И. Александр Иванович
Udgivet: (Томск, 2002)
af: Пушкарев А. И. Александр Иванович
Udgivet: (Томск, 2002)
Воздействие импульсного пучка электронов на газо-фазные галогениды кремния и вольфрама автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 05.14.12 спец. 01.04.08
af: Пушкарёв А. И. Александр Иванович
Udgivet: (Томск, [Б. и.], 2002)
af: Пушкарёв А. И. Александр Иванович
Udgivet: (Томск, [Б. и.], 2002)
Влияние дислокаций на люминесценцию эпитаксиальных слоев GaN
Udgivet: (2015)
Udgivet: (2015)
Имульсная люминесценция гетероструктур на основе GaN
af: Васенев А. С.
Udgivet: (2012)
af: Васенев А. С.
Udgivet: (2012)
Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида галлия методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений описание лабораторной работы
af: Байдусь Н. В.
Udgivet: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 1999)
af: Байдусь Н. В.
Udgivet: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 1999)
Деградация светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN при возбуждении сильноточным электронным пучком
af: Олешко В. И. Владимир Иванович
Udgivet: (2013)
af: Олешко В. И. Владимир Иванович
Udgivet: (2013)
Разработка методологии контроля чистоты сапфировых подложек для изготовления гетеротранзисторов и оптоэлектронных приборов на основе нитрида галлия
af: Гурская А. А.
Udgivet: (2004)
af: Гурская А. А.
Udgivet: (2004)
Разработка макета дискретного быстродействующего драйвера управления силовыми GaN транзисторами
af: Ерофеев Е. В.
Udgivet: (2017)
af: Ерофеев Е. В.
Udgivet: (2017)
Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе
af: Черняев В. Н. Владимир Николаевич
Udgivet: (Москва, Энергия, 1974)
af: Черняев В. Н. Владимир Николаевич
Udgivet: (Москва, Энергия, 1974)
Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям
Udgivet: (2013)
Udgivet: (2013)
Методы контроля качества монокристаллов арсенида галлия и фосфида индия эпитаксиальных слоев. Исследование распределения напряжений в монокристаллах и эпитаксиальных слоях Промежуточный отчет о НИР Тема: х/д 2-51/86
Udgivet: (Томск, 1989)
Udgivet: (Томск, 1989)
Исследования инерционного сжатия топливной мишени пучком тяжелых ионов
af: Бронников В. А.
Udgivet: (2004)
af: Бронников В. А.
Udgivet: (2004)
Оптические и волноводные свойства эпитаксиальных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке
Udgivet: (2015)
Udgivet: (2015)
Исследование потерь импульсного электронного пучка при формировании и выводе из диодной камеры ускорителя
af: Пушкарёв А. И. Александр Иванович
Udgivet: (2007)
af: Пушкарёв А. И. Александр Иванович
Udgivet: (2007)
Характеристики ударно-волнового возмущения в металлах при облучении ионными пучками
Udgivet: (2014)
Udgivet: (2014)
First measurement of the circular beam asymmetry in the γ→pπ0ηp reaction
Udgivet: (2010)
Udgivet: (2010)
Peculiarities of high-current electron beam effect on the structure of ni-ti alloy surface implanted by krypton ions
Udgivet: (2012)
Udgivet: (2012)
Reconstruction of electron beam energy spectra for vacuumand gas diodes
Udgivet: (2015)
Udgivet: (2015)
Cross-sectional TEM analysis of structural phase states in TiNi alloy treated by a low-energy high-current pulsed electron beam
Udgivet: (2015)
Udgivet: (2015)
Определение координат центра гауссова пучка с помощью матричного фотоприемника методом взвешивания
af: Савченко Е. В.
Udgivet: (2003)
af: Савченко Е. В.
Udgivet: (2003)
Структурные превращения различных марок технического углерода под воздействием импульсного электронного пучка с высокой плотностью энергии
Udgivet: (2013)
Udgivet: (2013)
General intense electron beams by means of a contracted arc discharge
af: Devyatkov V. N.
Udgivet: (1994)
af: Devyatkov V. N.
Udgivet: (1994)
Применение малогабаритного бетатрона КМБ-8 в интраоперационной лучевой терапии: исследование дозового распределения и характеристик пучка электронов
af: Мамаева С. Н.
Udgivet: (2025)
af: Мамаева С. Н.
Udgivet: (2025)
The effect of ion current density amplification in a diode with passive anode in magnetic self-isolation mod
af: Pushkarev A. I. Aleksandr Ivanovich
Udgivet: (2010)
af: Pushkarev A. I. Aleksandr Ivanovich
Udgivet: (2010)
Nonequilibrium structural condition in the medical TiNi-based alloy surface layer treated by electron beam
Udgivet: (2014)
Udgivet: (2014)
A compact calorimeter based on a magnetically insulated faraday cup for intense ion beam diagnostic
af: Pushkarev A. I. Aleksandr Ivanovich
Udgivet: (2012)
af: Pushkarev A. I. Aleksandr Ivanovich
Udgivet: (2012)
Investigation of the stability of the electron source with a multi-aperture plasma emitter generating a large cross-section electron beam
Udgivet: (2015)
Udgivet: (2015)
A facility for metal surface treatment with an electron beam
Udgivet: (2005)
Udgivet: (2005)
Распределение освещенности в объеме диффузно-рассеивающей среды в области воздействия и за пределами лазерного пучка
af: Агеева Е. П.
Udgivet: (2009)
af: Агеева Е. П.
Udgivet: (2009)
Процессы рекомбинации в квантовых точках GaN в матрице AIN автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Спец. 01.04.10
af: Александров И. А. Иван Анатольевич
Udgivet: (Новосибирск, 2015)
af: Александров И. А. Иван Анатольевич
Udgivet: (Новосибирск, 2015)
Кинетическая теория квазистационарных состояний сильноточных пучков заряженных частиц
af: Чихачев А. С.
Udgivet: (Москва, ФИЗМАТЛИТ, 2001)
af: Чихачев А. С.
Udgivet: (Москва, ФИЗМАТЛИТ, 2001)
Исследование дефекности эпитаксиальных пленок InP, выращенных на GaAs (100)
Udgivet: (2005)
Udgivet: (2005)
Четырехфотонная параметрическая суперлюминесценция монография
af: Кирин И. Г.
Udgivet: (Оренбург, ОГУ, 2018)
af: Кирин И. Г.
Udgivet: (Оренбург, ОГУ, 2018)
Lignende værker
-
Генерация и транспортировка сильноточных низкоэнергетичных электронных пучков в системе с газонаполненным диодом
af: Девятков В. Н.
Udgivet: (1998) -
Деформационное поведение и откольное разрушение стали гадфильда при ударно-волновом нагружении
Udgivet: (2010) -
Вып. 1
Udgivet: (1977) -
Люминесцентный контроль светодиодных гетероструктур, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфире
af: Ли Цзысюань
Udgivet: (2022) -
Импульсная люминесцентная спектрометрия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках AL2O3
af: Сычева А. В.
Udgivet: (2014)