Влияние плотности дислокаций на суперлюминесценцию эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфировых подложках; Прикладная физика; № 3
| Parent link: | Научно-производственное объединение "ОРИОН". Прикладная физика=Plasma Physics Reports: научно-технический журнал.— .— Москва: НПО Орион, 1994-.— 1996-0948 № 3.— 2024.— С. 58-62 |
|---|---|
| Hoofdauteur: | |
| Coauteur: | |
| Andere auteurs: | |
| Samenvatting: | Заглавие с экрана Исследованы излучательные свойства эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфировых подложках. Образцы возбуждались сильноточным электронным пучком с плотностью энергии 0,4 Дж/см 2 . Установлена корреляция интенсивности суперлюминесценции с плотностью дислокаций. Показано, что с уменьшением плотности дислокаций на длинноволновом крыле спонтанной люминесценции формируется пик суперлюминесценции, интенсивность которой нарастает с уменьшением плотности дислокаций. The radiative properties of GaN epitaxial layers grown by organometallic gas-phase epitaxy on sapphire substrates have been studied. The samples were excited by a high-current electron beam with an energy density of 0.4 J/cm2 . The correlation of the intensity of superluminescence with the density of dislocations has been established. It is shown that with a decrease in the density of dislocations on the long-wavelength wing of spontaneous luminescence, a peak of superluminescence is formed, the intensity of which increases with a decrease in the density of dislocations. Текстовый файл |
| Taal: | Russisch |
| Gepubliceerd in: |
2024
|
| Reeks: | Фотоэлектроника |
| Onderwerpen: | |
| Online toegang: | https://applphys.orion-ir.ru/appl-24/24-3/PF-24-3-058_RU.pdf |
| Formaat: | Elektronisch Hoofdstuk |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=673488 |