Влияние плотности дислокаций на суперлюминесценцию эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфировых подложках; Прикладная физика; № 3
| Parent link: | Научно-производственное объединение "ОРИОН". Прикладная физика=Plasma Physics Reports: научно-технический журнал.— .— Москва: НПО Орион, 1994-.— 1996-0948 № 3.— 2024.— С. 58-62 |
|---|---|
| Hovedforfatter: | |
| Institution som forfatter: | |
| Andre forfattere: | |
| Summary: | Заглавие с экрана Исследованы излучательные свойства эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфировых подложках. Образцы возбуждались сильноточным электронным пучком с плотностью энергии 0,4 Дж/см 2 . Установлена корреляция интенсивности суперлюминесценции с плотностью дислокаций. Показано, что с уменьшением плотности дислокаций на длинноволновом крыле спонтанной люминесценции формируется пик суперлюминесценции, интенсивность которой нарастает с уменьшением плотности дислокаций. The radiative properties of GaN epitaxial layers grown by organometallic gas-phase epitaxy on sapphire substrates have been studied. The samples were excited by a high-current electron beam with an energy density of 0.4 J/cm2 . The correlation of the intensity of superluminescence with the density of dislocations has been established. It is shown that with a decrease in the density of dislocations on the long-wavelength wing of spontaneous luminescence, a peak of superluminescence is formed, the intensity of which increases with a decrease in the density of dislocations. Текстовый файл |
| Sprog: | russisk |
| Udgivet: |
2024
|
| Serier: | Фотоэлектроника |
| Fag: | |
| Online adgang: | https://applphys.orion-ir.ru/appl-24/24-3/PF-24-3-058_RU.pdf |
| Format: | Electronisk Book Chapter |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=673488 |
MARC
| LEADER | 00000naa2a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 673488 | ||
| 005 | 20240702145811.0 | ||
| 090 | |a 673488 | ||
| 100 | |a 20240702d2024 k||y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 135 | |a drcn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i |b e | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 183 | 0 | |a cr |2 RDAcarrier | |
| 200 | 1 | |a Влияние плотности дислокаций на суперлюминесценцию эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфировых подложках |d Effect of dislocation density on superluminescence of GaN epitaxial layers grown by organometallic gas-phase epitaxy on sapphire substrates |f В. И. Олешко, Zixuan Li |z eng | |
| 203 | |a Текст |c электронный |b визуальный | ||
| 225 | 1 | |a Фотоэлектроника | |
| 283 | |a online_resource |2 RDAcarrier | ||
| 300 | |a Заглавие с экрана | ||
| 320 | |a Литература: 15 назв. | ||
| 330 | |a Исследованы излучательные свойства эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфировых подложках. Образцы возбуждались сильноточным электронным пучком с плотностью энергии 0,4 Дж/см 2 . Установлена корреляция интенсивности суперлюминесценции с плотностью дислокаций. Показано, что с уменьшением плотности дислокаций на длинноволновом крыле спонтанной люминесценции формируется пик суперлюминесценции, интенсивность которой нарастает с уменьшением плотности дислокаций. | ||
| 330 | |a The radiative properties of GaN epitaxial layers grown by organometallic gas-phase epitaxy on sapphire substrates have been studied. The samples were excited by a high-current electron beam with an energy density of 0.4 J/cm2 . The correlation of the intensity of superluminescence with the density of dislocations has been established. It is shown that with a decrease in the density of dislocations on the long-wavelength wing of spontaneous luminescence, a peak of superluminescence is formed, the intensity of which increases with a decrease in the density of dislocations. | ||
| 336 | |a Текстовый файл | ||
| 461 | 1 | |t Прикладная физика |c Москва |n НПО Орион |0 386763 |9 386763 |a Научно-производственное объединение "ОРИОН" |d 1994- |l Plasma Physics Reports |o научно-технический журнал |x 1996-0948 | |
| 463 | 1 | |t № 3 |v С. 58-62 |d 2024 | |
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 610 | 1 | |a нитрид галлия | |
| 610 | 1 | |a дислокации | |
| 610 | 1 | |a сильноточный электронный пучок | |
| 610 | 1 | |a суперлюминесценция | |
| 700 | 1 | |a Олешко |b В. И. |c специалист в области светотехники |c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук |f 1948- |g Владимир Иванович |9 12727 | |
| 701 | 0 | |a Zixuan Li | |
| 712 | 0 | 2 | |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет |c (2009- ) |9 26305 |4 570 |
| 801 | 0 | |a RU |b 63413507 |c 20240702 |g RCR | |
| 856 | 4 | |u https://applphys.orion-ir.ru/appl-24/24-3/PF-24-3-058_RU.pdf |z https://applphys.orion-ir.ru/appl-24/24-3/PF-24-3-058_RU.pdf | |
| 942 | |c CR | ||