Олешко В. И. Владимир Иванович & Zixuan Li. (2024). Влияние плотности дислокаций на суперлюминесценцию эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфировых подложках; Прикладная физика; № 3. 2024.
Citación estilo ChicagoОлешко В. И. Владимир Иванович and Zixuan Li. Влияние плотности дислокаций на суперлюминесценцию эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфировых подложках; Прикладная физика; № 3. 2024, 2024.
Cita MLAОлешко В. И. Владимир Иванович and Zixuan Li. Влияние плотности дислокаций на суперлюминесценцию эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфировых подложках; Прикладная физика; № 3. 2024, 2024.