Олешко В. И. Владимир Иванович & Zixuan Li. (2024). Влияние плотности дислокаций на суперлюминесценцию эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфировых подложках; Прикладная физика; № 3. 2024.
Chicago Style (17th ed.) CitationОлешко В. И. Владимир Иванович and Zixuan Li. Влияние плотности дислокаций на суперлюминесценцию эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфировых подложках; Прикладная физика; № 3. 2024, 2024.
MLA (9th ed.) CitationОлешко В. И. Владимир Иванович and Zixuan Li. Влияние плотности дислокаций на суперлюминесценцию эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфировых подложках; Прикладная физика; № 3. 2024, 2024.