Олешко В. И. Владимир Иванович & Zixuan Li. (2024). Влияние плотности дислокаций на суперлюминесценцию эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфировых подложках; Прикладная физика; № 3. 2024.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Олешко В. И. Владимир Иванович та Zixuan Li. Влияние плотности дислокаций на суперлюминесценцию эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфировых подложках; Прикладная физика; № 3. 2024, 2024.
Стиль цитування MLA (9-ме видання)Олешко В. И. Владимир Иванович та Zixuan Li. Влияние плотности дислокаций на суперлюминесценцию эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфировых подложках; Прикладная физика; № 3. 2024, 2024.