Адсорбция атома кремния на поверхностях (001) и (110) соединений TiN, TaN, AlN: расчеты из первых принципов; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика

Xehetasun bibliografikoak
Parent link:Курзина, И. А. (химик ; 1972-). Перспективы развития фундаментальных наук=Prospects of Fundamental Sciences Development: сборник научных трудов XX Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 25-28 апреля 2023 г..— .— Томск: Изд-во ТПУ, 2023
Т. 1 : Физика.— 2023.— С. 282-284
Egile nagusia: Огнев С. О. Сергей Олегович
Erakunde egilea: Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Отделение экспериментальной физики
Beste egile batzuk: Святкин Л. А. Леонид Александрович (научный руководитель)
Gaia:Заглавие с экрана
We present the results of ab initio study of silicon atom adsorption on the (001) and (110) surfaces of TiN, TaN, AlN compounds with NaCl structure. All possible symmetric nonequivalent positions of the silicon atom on the surfaces under study are considered, and the binding energy for the silicon atom in these positions is calculated. The most energetically favorable positions for adsorption on the (001) and (110) surfaces under consideration have been established
Текстовый файл
Hizkuntza:errusiera
Argitaratua: 2023
Gaiak:
Sarrera elektronikoa:http://earchive.tpu.ru/handle/11683/80818
Formatua: Baliabide elektronikoa Liburu kapitulua
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=673428