Адсорбция атома кремния на поверхностях (001) и (110) соединений TiN, TaN, AlN: расчеты из первых принципов; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика

Detaylı Bibliyografya
Parent link:Курзина, И. А. (химик ; 1972-). Перспективы развития фундаментальных наук=Prospects of Fundamental Sciences Development: сборник научных трудов XX Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 25-28 апреля 2023 г..— .— Томск: Изд-во ТПУ, 2023
Т. 1 : Физика.— 2023.— С. 282-284
Yazar: Огнев С. О. Сергей Олегович
Müşterek Yazar: Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Отделение экспериментальной физики
Diğer Yazarlar: Святкин Л. А. Леонид Александрович (научный руководитель)
Özet:Заглавие с экрана
We present the results of ab initio study of silicon atom adsorption on the (001) and (110) surfaces of TiN, TaN, AlN compounds with NaCl structure. All possible symmetric nonequivalent positions of the silicon atom on the surfaces under study are considered, and the binding energy for the silicon atom in these positions is calculated. The most energetically favorable positions for adsorption on the (001) and (110) surfaces under consideration have been established
Текстовый файл
Dil:Rusça
Baskı/Yayın Bilgisi: 2023
Konular:
Online Erişim:http://earchive.tpu.ru/handle/11683/80818
Materyal Türü: Elektronik Kitap Bölümü
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=673428