Адсорбция атома кремния на поверхностях (001) и (110) соединений TiN, TaN, AlN: расчеты из первых принципов; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика
| Parent link: | Курзина, И. А. (химик ; 1972-). Перспективы развития фундаментальных наук=Prospects of Fundamental Sciences Development: сборник научных трудов XX Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 25-28 апреля 2023 г..— .— Томск: Изд-во ТПУ, 2023 Т. 1 : Физика.— 2023.— С. 282-284 |
|---|---|
| Հիմնական հեղինակ: | |
| Համատեղ հեղինակ: | |
| Այլ հեղինակներ: | |
| Ամփոփում: | Заглавие с экрана We present the results of ab initio study of silicon atom adsorption on the (001) and (110) surfaces of TiN, TaN, AlN compounds with NaCl structure. All possible symmetric nonequivalent positions of the silicon atom on the surfaces under study are considered, and the binding energy for the silicon atom in these positions is calculated. The most energetically favorable positions for adsorption on the (001) and (110) surfaces under consideration have been established Текстовый файл |
| Լեզու: | ռուսերեն |
| Հրապարակվել է: |
2023
|
| Խորագրեր: | |
| Առցանց հասանելիություն: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/80818 |
| Ձևաչափ: | Էլեկտրոնային Գրքի գլուխ |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=673428 |
MARC
| LEADER | 00000naa2a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 673428 | ||
| 005 | 20241101140013.0 | ||
| 090 | |a 673428 | ||
| 100 | |a 20240627d2023 k||y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 135 | |a drcn ---uucaa | ||
| 200 | 1 | |a Адсорбция атома кремния на поверхностях (001) и (110) соединений TiN, TaN, AlN: расчеты из первых принципов |f С. О. Огнев |g науч. рук. Л. А. Святкин ; Инженерная школа ядерных технологий НИ ТПУ |d Adsorption of silicon atoms on (001) and (110) surfaces of TiN, TaN, AlN compounds: first principle calculations |z eng | |
| 300 | |a Заглавие с экрана | ||
| 320 | |a Библиография: с. 284 | ||
| 330 | |a We present the results of ab initio study of silicon atom adsorption on the (001) and (110) surfaces of TiN, TaN, AlN compounds with NaCl structure. All possible symmetric nonequivalent positions of the silicon atom on the surfaces under study are considered, and the binding energy for the silicon atom in these positions is calculated. The most energetically favorable positions for adsorption on the (001) and (110) surfaces under consideration have been established | ||
| 336 | |a Текстовый файл | ||
| 461 | 1 | |0 636133 |t Перспективы развития фундаментальных наук |l Prospects of Fundamental Sciences Development |o сборник научных трудов XX Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 25-28 апреля 2023 г. |d 2023 |9 636133 |a Курзина, И. А. (химик ; 1972-) |c Томск |n Изд-во ТПУ | |
| 463 | 1 | |0 669915 |t Т. 1 : Физика |v С. 282-284 |d 2023 |9 669915 |p 1 файл (75,9 MB, 442 с.) |u conference_tpu-2023-C21_V1.pdf |l Volume 1. Physics | |
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 610 | 1 | |a трение | |
| 610 | 1 | |a износ | |
| 610 | 1 | |a защитные покрытия | |
| 610 | 1 | |a многокомпонентные покрытия | |
| 610 | 1 | |a нанокристаллические покрытия | |
| 610 | 1 | |a твердые растворы | |
| 610 | 1 | |a электронная плотность | |
| 610 | 1 | |a кремний | |
| 700 | 1 | |a Огнев |b С. О. |c специалист в области ядерных технологий |c инженер Томского политехнического университета |f 1999- |g Сергей Олегович |9 22796 | |
| 702 | 1 | |a Святкин |b Л. А. |c физик |c доцент Томского политехнического университета, Кандидат физико-математических наук |f 1988- |g Леонид Александрович |4 727 | |
| 712 | 0 | 2 | |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет |b Инженерная школа ядерных технологий |b Отделение экспериментальной физики |9 28346 |
| 801 | 0 | |a RU |b 63413507 |c 20240627 |g RCR | |
| 856 | 4 | |z http://earchive.tpu.ru/handle/11683/80818 |u http://earchive.tpu.ru/handle/11683/80818 | |
| 942 | |c CF | ||