Люминесцентный контроль светодиодных гетероструктур, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфире; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE); Radiation Physics and Chemistry of Condensed Matter
| Parent link: | Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE): proceedings of 8th International Congress, October 2-8, 2022, Tomsk, Russia.— , 2022 Radiation Physics and Chemistry of Condensed Matter.— 2022.— [С. 1143-1147] |
|---|---|
| المؤلف الرئيسي: | |
| مؤلفون مشاركون: | , |
| مؤلفون آخرون: | , |
| الملخص: | Заглавие с экрана Представлены результаты экспериментальных исследовании спектральных и кинетических характеристик импульсной катодо- и фотолюминесценции светодиодных гетероструктур AlGaN/GaN и InGaN/GaN, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфире. Изучено влияние плотности энергии сильноточного электронного пучка на спектральные и амплитудные характеристики люминесценции гетероструктур. Исследовано пространственное распределение люминесцентных характеристик по поверхности выращенных пластин. Обнаружено, что в гетероструктуре InGaN/GaN наблюдается сдвиг максимума спектра стимулированной катодолюминесценции, измеренного в различных точках образца. Этот результат объясняется варьированием состава и толщины квантоворазмерной активной области, что обусловливается не идеальностью технологического процесса выращивания пластин. |
| اللغة: | الروسية |
| منشور في: |
2022
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://dx.doi.org/10.56761/EFRE2022.R1-P-035802 |
| التنسيق: | الكتروني فصل الكتاب |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=668846 |
MARC
| LEADER | 00000naa0a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 668846 | ||
| 005 | 20250630141311.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\network\40083 | ||
| 035 | |a RU\TPU\network\39995 | ||
| 090 | |a 668846 | ||
| 100 | |a 20230127d2022 k||y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 135 | |a drcn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 200 | 1 | |a Люминесцентный контроль светодиодных гетероструктур, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфире |f Ли Цзысюань, В. И. Олешко, Л. В. Воробьёва | |
| 203 | |a Текст |c электронный | ||
| 300 | |a Заглавие с экрана | ||
| 320 | |a [Библиогр.: 5 назв.] | ||
| 330 | |a Представлены результаты экспериментальных исследовании спектральных и кинетических характеристик импульсной катодо- и фотолюминесценции светодиодных гетероструктур AlGaN/GaN и InGaN/GaN, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфире. Изучено влияние плотности энергии сильноточного электронного пучка на спектральные и амплитудные характеристики люминесценции гетероструктур. Исследовано пространственное распределение люминесцентных характеристик по поверхности выращенных пластин. Обнаружено, что в гетероструктуре InGaN/GaN наблюдается сдвиг максимума спектра стимулированной катодолюминесценции, измеренного в различных точках образца. Этот результат объясняется варьированием состава и толщины квантоворазмерной активной области, что обусловливается не идеальностью технологического процесса выращивания пластин. | ||
| 461 | |t Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE) |o proceedings of 8th International Congress, October 2-8, 2022, Tomsk, Russia |d 2022 | ||
| 463 | |t Radiation Physics and Chemistry of Condensed Matter |o 20th International Conference |v [С. 1143-1147] |d 2022 | ||
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 610 | 1 | |a светодиоды | |
| 610 | 1 | |a гетероструктуры | |
| 610 | 1 | |a сверхрешетки | |
| 610 | 1 | |a катодолюминесценция | |
| 610 | 1 | |a фотолюминенценция | |
| 700 | 0 | |a Ли Цзысюань | |
| 701 | 1 | |a Олешко |b В. И. |c специалист в области светотехники |c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук |f 1948- |g Владимир Иванович |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\27390 |9 12727 | |
| 701 | 1 | |a Воробьёва |b Л. В. |c лингвист |c доцент Томского политехнического университета, кандидат филологических наук |f 1979- |g Людмила Владимировна |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\26956 |9 12566 | |
| 712 | 0 | 2 | |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет |b Инженерная школа новых производственных технологий |b Отделение материаловедения |3 (RuTPU)RU\TPU\col\23508 |
| 712 | 0 | 2 | |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет |b Школа базовой инженерной подготовки |b Отделение русского языка |3 (RuTPU)RU\TPU\col\23517 |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20230127 |g RCR | |
| 850 | |a 63413507 | ||
| 856 | 4 | |u http://dx.doi.org/10.56761/EFRE2022.R1-P-035802 |z http://dx.doi.org/10.56761/EFRE2022.R1-P-035802 | |
| 942 | |c CF | ||