Люминесцентный контроль светодиодных гетероструктур, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфире; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE); Radiation Physics and Chemistry of Condensed Matter
| Parent link: | Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE): proceedings of 8th International Congress, October 2-8, 2022, Tomsk, Russia.— , 2022 Radiation Physics and Chemistry of Condensed Matter.— 2022.— [С. 1143-1147] |
|---|---|
| Հիմնական հեղինակ: | |
| Համատեղ հեղինակներ: | , |
| Այլ հեղինակներ: | , |
| Ամփոփում: | Заглавие с экрана Представлены результаты экспериментальных исследовании спектральных и кинетических характеристик импульсной катодо- и фотолюминесценции светодиодных гетероструктур AlGaN/GaN и InGaN/GaN, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфире. Изучено влияние плотности энергии сильноточного электронного пучка на спектральные и амплитудные характеристики люминесценции гетероструктур. Исследовано пространственное распределение люминесцентных характеристик по поверхности выращенных пластин. Обнаружено, что в гетероструктуре InGaN/GaN наблюдается сдвиг максимума спектра стимулированной катодолюминесценции, измеренного в различных точках образца. Этот результат объясняется варьированием состава и толщины квантоворазмерной активной области, что обусловливается не идеальностью технологического процесса выращивания пластин. |
| Լեզու: | ռուսերեն |
| Հրապարակվել է: |
2022
|
| Խորագրեր: | |
| Առցանց հասանելիություն: | http://dx.doi.org/10.56761/EFRE2022.R1-P-035802 |
| Ձևաչափ: | Էլեկտրոնային Գրքի գլուխ |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=668846 |