Люминесцентный контроль светодиодных гетероструктур, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфире

Bibliographic Details
Parent link:Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE): proceedings of 8th International Congress, October 2-8, 2022, Tomsk, Russia.— , 2022
Radiation Physics and Chemistry of Condensed Matter.— 2022.— [С. 1143-1147]
Main Author: Ли Цзысюань
Corporate Authors: Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа новых производственных технологий Отделение материаловедения, Национальный исследовательский Томский политехнический университет Школа базовой инженерной подготовки Отделение русского языка
Other Authors: Олешко В. И. Владимир Иванович, Воробьёва Л. В. Людмила Владимировна
Summary:Заглавие с экрана
Представлены результаты экспериментальных исследовании спектральных и кинетических характеристик импульсной катодо- и фотолюминесценции светодиодных гетероструктур AlGaN/GaN и InGaN/GaN, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфире. Изучено влияние плотности энергии сильноточного электронного пучка на спектральные и амплитудные характеристики люминесценции гетероструктур. Исследовано пространственное распределение люминесцентных характеристик по поверхности выращенных пластин. Обнаружено, что в гетероструктуре InGaN/GaN наблюдается сдвиг максимума спектра стимулированной катодолюминесценции, измеренного в различных точках образца. Этот результат объясняется варьированием состава и толщины квантоворазмерной активной области, что обусловливается не идеальностью технологического процесса выращивания пластин.
Published: 2022
Subjects:
Online Access:http://dx.doi.org/10.56761/EFRE2022.R1-P-035802
Format: Electronic Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=668846