Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Отделение экспериментальной физики, Torkhov N. A. Nikolay Aleksandrovich, Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich, Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna, & Toropov A. S. Aleksandr Sergeevich. (2022). Physical nature of size effects in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts to AlGaN/GaN heteroepitaxial structures; Semiconductor Science and Technology; Vol. 37, iss. 5. 2022. https://doi.org/10.1088/1361-6641/ac557e
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Отделение экспериментальной физики, Torkhov N. A. Nikolay Aleksandrovich, Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich, Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna, und Toropov A. S. Aleksandr Sergeevich. Physical Nature of Size Effects in TiAlNiAu/GaN Ohmic Contacts to AlGaN/GaN Heteroepitaxial Structures; Semiconductor Science and Technology; Vol. 37, Iss. 5. 2022, 2022. https://doi.org/10.1088/1361-6641/ac557e.
MLA-Zitierstil (9. Ausg.)Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Отделение экспериментальной физики, et al. Physical Nature of Size Effects in TiAlNiAu/GaN Ohmic Contacts to AlGaN/GaN Heteroepitaxial Structures; Semiconductor Science and Technology; Vol. 37, Iss. 5. 2022, 2022. https://doi.org/10.1088/1361-6641/ac557e.