Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Отделение экспериментальной физики, Torkhov N. A. Nikolay Aleksandrovich, Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich, Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna, & Toropov A. S. Aleksandr Sergeevich. (2022). Physical nature of size effects in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts to AlGaN/GaN heteroepitaxial structures; Semiconductor Science and Technology; Vol. 37, iss. 5. 2022. https://doi.org/10.1088/1361-6641/ac557e
Chicago Style (17th ed.) CitationНациональный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Отделение экспериментальной физики, Torkhov N. A. Nikolay Aleksandrovich, Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich, Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna, and Toropov A. S. Aleksandr Sergeevich. Physical Nature of Size Effects in TiAlNiAu/GaN Ohmic Contacts to AlGaN/GaN Heteroepitaxial Structures; Semiconductor Science and Technology; Vol. 37, Iss. 5. 2022, 2022. https://doi.org/10.1088/1361-6641/ac557e.
MLA (9th ed.) CitationНациональный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Отделение экспериментальной физики, et al. Physical Nature of Size Effects in TiAlNiAu/GaN Ohmic Contacts to AlGaN/GaN Heteroepitaxial Structures; Semiconductor Science and Technology; Vol. 37, Iss. 5. 2022, 2022. https://doi.org/10.1088/1361-6641/ac557e.