Cu-Ir thin film alloy as a potential substrate for the heteroepitaxial diamond growth

Cu-Ir thin film alloy as a potential substrate for the heteroepitaxial diamond growth

Bibliographic Details
Parent link:	Materials Letters Vol. 321.— 2022.— [132441, 4 p.]
Corporate Authors:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов, Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа новых производственных технологий Научно-производственная лаборатория "Импульсно-пучковых, электроразрядных и плазменных технологий"
Other Authors:	Zenkin S. P. Sergey Petrovich, Gaydaychuk A. V. Alexander Valerievich, Mitulinsky A. S. Aleksandr Sergeevich, Linnik S. A. Stepan Andreevich
Summary:	Title screen Due to a relatively low mismatch to the diamond lattice, iridium allows to produce high-quality heteroepitaxial diamond films. However, extremely high price of iridium motivates to find a suitable replacement. In this article, we focus on the new homogeneous Ir(Cu) alloy sputtered on the SrTiO3 as a potential substrate material for the diamond heteroepitaxy. We show that in magnetron-sputtered thin films copper can form a solid solution with iridium at concentrations up to 27 at.% with the same FCC structure. Ir(Cu) alloy can reduce using of iridium with the same quality of heteroepitaxial diamond production. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Published:	2022
Subjects:	электронный ресурс труды учёных ТПУ diamond heteroepitaxy Ir-Cu thin film CVD diamond гетероэпитаксия тонкие пленки
Online Access:	https://doi.org/10.1016/j.matlet.2022.132441
Format:	Electronic Book Chapter
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=668051

Internet

https://doi.org/10.1016/j.matlet.2022.132441