Radioactivation Monitoring of the Density of Wear-Resistant AlN and CrN Coatings on Silicon; Technical Physics Letters; Vol. 47, iss. 7

Bibliografiset tiedot
Parent link:Technical Physics Letters
Vol. 47, iss. 7.— 2021.— [P. 524-527]
Yhteisötekijät: Национальный исследовательский Томский политехнический университет Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов, Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа новых производственных технологий Научно-производственная лаборатория "Импульсно-пучковых, электроразрядных и плазменных технологий"
Muut tekijät: Ryzhkov V. A. Vladislav Andreevich, Tarbokov V. A. Vladislav Aleksandrovich, Smolyansky E. A. Egor Aleksandrovich, Remnev G. E. Gennady Efimovich
Yhteenveto:Title screen
A combination of two methods (nondestructive proton beam radioactivation analysis and optical microinterferometry) has been used for measuring the mass and linear thicknesses of AlN and CrN coatings deposited onto silicon substrates by means of magnetron sputtering. It is established that, at linear thickness from 2.2 to 5.7 μm, the density of deposits is close to that of bulk materials (3.26 g/cm3 for AlN and 5.9 g/cm3 for CrN), while the stoichiometry of nitrides can be controlled by varying the parameters of magnetron sputtering. The proposed method can also be used for determining the densities of metal carbide and oxide films used as wear-resistant coatings.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Kieli:englanti
Julkaistu: 2021
Aiheet:
Linkit:https://doi.org/10.1134/S106378502105028X
Aineistotyyppi: xMaterials Elektroninen Kirjan osa
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=667310

MARC

LEADER 00000naa0a2200000 4500
001 667310
005 20250310143832.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\network\38515 
035 |a RU\TPU\network\37711 
090 |a 667310 
100 |a 20220315d2021 k||y0rusy50 ba 
101 0 |a eng 
135 |a drgn ---uucaa 
181 0 |a i  
182 0 |a b 
200 1 |a Radioactivation Monitoring of the Density of Wear-Resistant AlN and CrN Coatings on Silicon  |f V. A. Ryzhkov, V. A. Tarbokov, E. A. Smolyansky, G. E. Remnev 
203 |a Text  |c electronic 
300 |a Title screen 
320 |a [References: 5 tit.] 
330 |a A combination of two methods (nondestructive proton beam radioactivation analysis and optical microinterferometry) has been used for measuring the mass and linear thicknesses of AlN and CrN coatings deposited onto silicon substrates by means of magnetron sputtering. It is established that, at linear thickness from 2.2 to 5.7 μm, the density of deposits is close to that of bulk materials (3.26 g/cm3 for AlN and 5.9 g/cm3 for CrN), while the stoichiometry of nitrides can be controlled by varying the parameters of magnetron sputtering. The proposed method can also be used for determining the densities of metal carbide and oxide films used as wear-resistant coatings. 
333 |a Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса 
338 |b Российский фонд фундаментальных исследований  |d 20-21-00025/20 
461 |t Technical Physics Letters 
463 |t Vol. 47, iss. 7  |v [P. 524-527]  |d 2021 
610 1 |a электронный ресурс 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
610 1 |a density 
610 1 |a radioactivation analysis 
610 1 |a magnetron 
610 1 |a microinterferometer 
610 1 |a плотность 
610 1 |a радиоактивный анализ 
610 1 |a магнетроны 
610 1 |a износостойкие покрытия 
701 1 |a Ryzhkov  |b V. A.  |c specialist in nuclear physics  |c Senior Researcher, Tomsk Polytechnic University, Candidate of Physical and Mathematical Sciences  |f 1958-  |g Vladislav Andreevich  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\44020 
701 1 |a Tarbokov  |b V. A.  |c specialist in the field of material science  |c Leading engineer of Tomsk Polytechnic University, Candidate of technical sciences  |f 1969-  |g Vladislav Aleksandrovich  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\41878 
701 1 |a Smolyansky  |b E. A.  |c Physicist  |c Research Engineer of Tomsk Polytechnic University  |f 1985-  |g Egor Aleksandrovich  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\37673 
701 1 |a Remnev  |b G. E.  |c physicist  |c Professor of Tomsk Polytechnic University, Doctor of technical sciences  |f 1948-  |g Gennady Efimovich  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\31500 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет  |b Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов  |c (2017- )  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\23551 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет  |b Инженерная школа новых производственных технологий  |b Научно-производственная лаборатория "Импульсно-пучковых, электроразрядных и плазменных технологий"  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\23502 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20220315  |g RCR 
856 4 |u https://doi.org/10.1134/S106378502105028X 
942 |c CF