Effect of Al Addition on the Oxidation Resistance of HfC Thin Films; Coatings; Vol. 12, iss. 1

Dades bibliogràfiques
Parent link:Coatings
Vol. 12, iss. 1.— 2022.— [27, 7 p.]
Autor corporatiu: Национальный исследовательский Томский политехнический университет Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов, Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа новых производственных технологий Отделение материаловедения
Altres autors: Gaydaychuk A. V. Alexander Valerievich, Linnik S. A. Stepan Andreevich, Mitulinsky A. S. Aleksandr Sergeevich, Zenkin S. P. Sergey Petrovich
Sumari:Title screen
In this paper, we focus on the research of Al addition on Hf–Al–C film structure and oxidation resistance. It was found that obtained Hf–A–C films consist of a solid solution of Al in non-stoichiometric cubic HfC and have identical XRD patterns to bcc–HfC. Besides, the Al addition decreases the sample mass gain during oxidation in air at temperatures up to 800 °C. Mass gain for Hf–Al–C was 44.3 and 22.5% less, compared to pristine HfC, at 600 and 800 °C, respectively.
Idioma:anglès
Publicat: 2022
Matèries:
Accés en línia:http://earchive.tpu.ru/handle/11683/70753
https://doi.org/10.3390/coatings12010027
Format: MixedMaterials Electrònic Capítol de llibre
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=667194

MARC

LEADER 00000naa0a2200000 4500
001 667194
005 20250304141439.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\network\38399 
090 |a 667194 
100 |a 20220302d2022 k||y0rusy50 ba 
101 0 |a eng 
102 |a CH 
135 |a drcn ---uucaa 
181 0 |a i  
182 0 |a b 
200 1 |a Effect of Al Addition on the Oxidation Resistance of HfC Thin Films  |f A. V. Gaydaychuk, S. A. Linnik, A. S. Mitulinsky, S. P. Zenkin 
203 |a Text  |c electronic 
300 |a Title screen 
320 |a [References: 16 tit.] 
330 |a In this paper, we focus on the research of Al addition on Hf–Al–C film structure and oxidation resistance. It was found that obtained Hf–A–C films consist of a solid solution of Al in non-stoichiometric cubic HfC and have identical XRD patterns to bcc–HfC. Besides, the Al addition decreases the sample mass gain during oxidation in air at temperatures up to 800 °C. Mass gain for Hf–Al–C was 44.3 and 22.5% less, compared to pristine HfC, at 600 and 800 °C, respectively. 
461 |t Coatings 
463 |t Vol. 12, iss. 1  |v [27, 7 p.]  |d 2022 
610 1 |a электронный ресурс 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
610 1 |a Hf–Al–C 
610 1 |a oxidation resistanc 
610 1 |a magnetron sputtering 
610 1 |a окисление 
610 1 |a магнетронное распыление 
701 1 |a Gaydaychuk  |b A. V.  |c physicist  |c Postgraduate, Engineer - Researcher of Tomsk Polytechnic University  |f 1984-  |g Alexander Valerievich  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\32876  |9 16724 
701 1 |a Linnik  |b S. A.  |c physicist  |c Engineer-Researcher of Tomsk Polytechnic University  |f 1985-  |g Stepan Andreevich  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\32877  |9 16725 
701 1 |a Mitulinsky  |b A. S.  |c electric power specialist  |c technician of Tomsk Polytechnic University  |f 1998-  |g Aleksandr Sergeevich  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\47113 
701 1 |a Zenkin  |b S. P.  |c physicist  |c Researcher of Tomsk Polytechnic University  |f 1988-  |g Sergey Petrovich  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\41880 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет  |b Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов  |c (2017- )  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\23551 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет  |b Инженерная школа новых производственных технологий  |b Отделение материаловедения  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\23508 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20220513  |g RCR 
856 4 |u http://earchive.tpu.ru/handle/11683/70753 
856 4 |u https://doi.org/10.3390/coatings12010027 
942 |c CF