X-ray Bragg Ptychography on a Single InGaN/GaN Core-Shell Nanowire; ACS Nano; Vol. 11, iss. 7
| Parent link: | ACS Nano Vol. 11, iss. 7.— 2017.— [P. 6605-6611] |
|---|---|
| Corporate Author: | Национальный исследовательский Томский политехнический университет Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов |
| Other Authors: | Dzhigaev D. Dmitry, Stankevic T. Tomas, Bi Zh. Zhaoxia, Lazarev S. V. Sergey Vladimirovich, Rose M. Max, Shabalin Anatoly A. G., Reinhardt J. Juliane, Mikkelsen A. Anders, Samuelson L. Lars, Falkenberg G. Gerald, Feidenhans'L R. Robert, Vartanyants I. A. Ivan |
| Summary: | Title screen The future of solid-state lighting can be potentially driven by applications of InGaN/GaN core–shell nanowires. These heterostructures provide the possibility for fine-tuning of functional properties by controlling a strain state between mismatched layers. We present a nondestructive study of a single 400 nm-thick InGaN/GaN core–shell nanowire using two-dimensional (2D) X-ray Bragg ptychography (XBP) with a nanofocused X-ray beam. The XBP reconstruction enabled the determination of a detailed three-dimensional (3D) distribution of the strain in the particular nanowire using a model based on finite element method. We observed the strain induced by the lattice mismatch between the GaN core and InGaN shell to be in the range from -0.1% to 0.15% for an In concentration of 30%. The maximum value of the strain component normal to the facets was concentrated at the transition region between the main part of the nanowire and the GaN tip. In addition, a variation in misfit strain relaxation between the axial growth and in-plane directions was revealed. |
| Language: | English |
| Published: |
2017
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://doi.org/10.1021/acsnano.6b08122 |
| Format: | Electronic Book Chapter |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=666913 |
Similar Items
Alignment control and atomically-scaled heteroepitaxial interface study of GaN nanowires; Nanoscale; Vol. 9, iss. 16
Published: (2017)
Published: (2017)
Tunneling current in w-GaN/AlN(0001) structures with deep-level defects; Superlattices and Microstructures; Vol. 122
by: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Published: (2018)
by: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Published: (2018)
Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
Published: (2016)
Published: (2016)
Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2013)
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2013)
Semiconducting Silicon Nanowires for Biomedical Applications
Published: (Amsterdam, Elsevier, 2014)
Published: (Amsterdam, Elsevier, 2014)
Analysis of boundary conditions for the envelope functions of GaN/InGaN(0001) heterostructures; Russian Physics Journal; Vol. 55, iss. 7
by: Karavaev G. F. Gennady Fedorovich
Published: (2012)
by: Karavaev G. F. Gennady Fedorovich
Published: (2012)
Structural Changes in a Single GaN Nanowire under Applied Voltage Bias; Nano Letters; Vol. 18, iss. 9
Published: (2018)
Published: (2018)
Theoretical analysis of the strain mapping in a single core-shell nanowire by x-ray Bragg ptychography; Proceedings of SPIE; Vol. 9592 : X-Ray Nanoimaging: Instruments and Methods II
Published: (2015)
Published: (2015)
Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
Published: (2013)
Published: (2013)
The morphology of high-current electron-beam-initiated fractures in InGaN/GaN heterostructures; Technical Physics Letters; Vol. 41, iss. 8
by: Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich
Published: (2015)
by: Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich
Published: (2015)
Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001); Известия вузов. Физика; Т. 55, № 7
by: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Published: (2012)
by: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Published: (2012)
Механизмы разрушения в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Ученые записки физического факультета Московского университета; № 5
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2015)
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2015)
Деградация светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN при возбуждении сильноточным электронным пучком; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2013)
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2013)
Оптические и волноводные свойства эпитаксиальных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 58, № 8-3
Published: (2015)
Published: (2015)
Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2017)
by: Ли Цзысюань
Published: (2017)
by: Ли Цзысюань
Published: (2017)
Морфология разрушений в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Письма в Журнал технической физики; Т. 41, вып. 15
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2015)
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2015)
Время-разрешенная люминесцентная спектроскопия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках Al2O3; Современные техника и технологии; Т. 2
by: Горина С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (2014)
by: Горина С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (2014)
Physical nature of size effects in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts to AlGaN/GaN heteroepitaxial structures; Semiconductor Science and Technology; Vol. 37, iss. 5
Published: (2022)
Published: (2022)
Influence of Contacts and Applied Voltage on a Structure of a Single GaN Nanowire; Applied Sciences; Vol. 11, iss. 20
Published: (2021)
Published: (2021)
Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.11
by: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Published: (Новосибирск, 2025)
by: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Published: (Новосибирск, 2025)
Effect of nitrogen content on structural and mechanical properties of AlTiZrTaHf(-N) high entropy films deposited by reactive magnetron sputtering; Surface and Coatings Technology; Vol. 432
Published: (2022)
Published: (2022)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
by: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (Томск, [Б. и.], 2017)
by: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (Томск, [Б. и.], 2017)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
by: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (Томск, 2017)
by: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (Томск, 2017)
Деградация светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN при облучении гамма-квантами; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
by: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Published: (2011)
by: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Published: (2011)
Hysteresis of tunnel current in w-GaN/AlGaN(0001) double-barrier structures; Semiconductors; Vol. 42, iss. 5
by: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Published: (2008)
by: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Published: (2008)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
by: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (Томск, [Б. и.], 2018)
by: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (Томск, [Б. и.], 2018)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
by: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (Томск, 2018)
by: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (Томск, 2018)
Defect-rich GaN interlayer facilitating the annihilation of threading dislocations in polar GaN crystals grown on (0001)-oriented sapphire substrates; Journal of Applied Physics; Vol. 126, iss. 8
Published: (2019)
Published: (2019)
"Двурезонансный" гистерезис туннельного тока в гетероструктурах w-GaN/AlGaN; Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы
by: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Published: (2007)
by: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Published: (2007)
Self-consistent calculation of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) two-barrier heterostructures; Semiconductors; Vol. 40, iss. 6
by: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Published: (2006)
by: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Published: (2006)
The effect of internal fields on tunneling current in strained GaN/AlxGa1-x N(0001) structures; Semiconductors; Vol. 37, iss. 4
by: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Published: (2003)
by: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Published: (2003)
Thermal Stability of TiZrAlN and TiZrSiN Films Formed by Reactive Magnetron Sputtering; Inorganic Materials: Applied Research; Vol. 9, iss. 3
Published: (2018)
Published: (2018)
On the Synthesis Mechanism of TiN, ZrN, and HfN During Combustion of Mixtures of Aluminum Nanopowder with TiO2, ZrO2, and HfO2; Refractories and Industrial Ceramics; Vol. 60, iss. 4
by: Root L. O. Lyudmila Olegovna
Published: (2019)
by: Root L. O. Lyudmila Olegovna
Published: (2019)
Optical Properties of Aluminum- and Silicon-Nitride Films and Al–Si–N Nanocomposite Coatings Deposited by Reactive Magnetron Sputtering; Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques; Vol. 15, iss. 1
Published: (2021)
Published: (2021)
Формирование нанопроводов оксида цинка на подложках с развитой поверхностью для газочувствительных слоёв; Химия и химическая технология в XXI веке
by: Иванова А. А.
Published: (2018)
by: Иванова А. А.
Published: (2018)
Роль глубоких уровней в токе туннельных диодов w-AlGaN/GaN; Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы
by: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Published: (2015)
by: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Published: (2015)
“Конденсаторная” модель гистерезиса туннельного тока в структурах w-GaN/AlGaN(0001); Физика твёрдого тела; Т. 51, вып. 1
by: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Published: (2009)
by: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Published: (2009)
A “capacitor” model of the hysteresis of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) structures; Physics of the Solid State; Vol. 51, iss. 1
by: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Published: (2009)
by: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Published: (2009)
Гистерезис туннельного тока в двухбарьерных структурах w-GaN/AlGaN(0001); Физика и техника полупроводников; Т. 42, вып. 5
by: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Published: (2008)
by: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Published: (2008)
High-voltage MIS-gated GaN transistors; Semiconductors; Vol. 51, iss. 9
Published: (2017)
Published: (2017)
Similar Items
-
Alignment control and atomically-scaled heteroepitaxial interface study of GaN nanowires; Nanoscale; Vol. 9, iss. 16
Published: (2017) -
Tunneling current in w-GaN/AlN(0001) structures with deep-level defects; Superlattices and Microstructures; Vol. 122
by: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Published: (2018) -
Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
Published: (2016) -
Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2013) -
Semiconducting Silicon Nanowires for Biomedical Applications
Published: (Amsterdam, Elsevier, 2014)