X-ray Bragg Ptychography on a Single InGaN/GaN Core-Shell Nanowire; ACS Nano; Vol. 11, iss. 7

X-ray Bragg Ptychography on a Single InGaN/GaN Core-Shell Nanowire; ACS Nano; Vol. 11, iss. 7

Dettagli Bibliografici
Parent link:	ACS Nano Vol. 11, iss. 7.— 2017.— [P. 6605-6611]
Ente Autore:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов
Altri autori:	Dzhigaev D. Dmitry, Stankevic T. Tomas, Bi Zh. Zhaoxia, Lazarev S. V. Sergey Vladimirovich, Rose M. Max, Shabalin Anatoly A. G., Reinhardt J. Juliane, Mikkelsen A. Anders, Samuelson L. Lars, Falkenberg G. Gerald, Feidenhans'L R. Robert, Vartanyants I. A. Ivan
Riassunto:	Title screen The future of solid-state lighting can be potentially driven by applications of InGaN/GaN core–shell nanowires. These heterostructures provide the possibility for fine-tuning of functional properties by controlling a strain state between mismatched layers. We present a nondestructive study of a single 400 nm-thick InGaN/GaN core–shell nanowire using two-dimensional (2D) X-ray Bragg ptychography (XBP) with a nanofocused X-ray beam. The XBP reconstruction enabled the determination of a detailed three-dimensional (3D) distribution of the strain in the particular nanowire using a model based on finite element method. We observed the strain induced by the lattice mismatch between the GaN core and InGaN shell to be in the range from -0.1% to 0.15% for an In concentration of 30%. The maximum value of the strain component normal to the facets was concentrated at the transition region between the main part of the nanowire and the GaN tip. In addition, a variation in misfit strain relaxation between the axial growth and in-plane directions was revealed.
Lingua:	inglese
Pubblicazione:	2017
Soggetti:	электронный ресурс труды учёных ТПУ X-rays plastics nitrides scattering physical and chemical processes рентген пластмассы нитриды рассеяние физико-химические процессы нанопровода
Accesso online:	https://doi.org/10.1021/acsnano.6b08122
Natura:	Elettronico Capitolo di libro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=666913

Documenti analoghi

Alignment control and atomically-scaled heteroepitaxial interface study of GaN nanowires; Nanoscale; Vol. 9, iss. 16
Pubblicazione: (2017)

Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
Pubblicazione: (2016)

Semiconducting Silicon Nanowires for Biomedical Applications
Pubblicazione: (Amsterdam, Elsevier, 2014)

Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
di: Олешко В. И. Владимир Иванович
Pubblicazione: (2013)

Analysis of boundary conditions for the envelope functions of GaN/InGaN(0001) heterostructures; Russian Physics Journal; Vol. 55, iss. 7
di: Karavaev G. F. Gennady Fedorovich
Pubblicazione: (2012)

Structural Changes in a Single GaN Nanowire under Applied Voltage Bias; Nano Letters; Vol. 18, iss. 9
Pubblicazione: (2018)

The morphology of high-current electron-beam-initiated fractures in InGaN/GaN heterostructures; Technical Physics Letters; Vol. 41, iss. 8
di: Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich
Pubblicazione: (2015)

Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001); Известия вузов. Физика; Т. 55, № 7
di: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Pubblicazione: (2012)

Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
Pubblicazione: (2013)

Механизмы разрушения в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Ученые записки физического факультета Московского университета; № 5
di: Олешко В. И. Владимир Иванович
Pubblicazione: (2015)

Theoretical analysis of the strain mapping in a single core-shell nanowire by x-ray Bragg ptychography; Proceedings of SPIE; Vol. 9592 : X-Ray Nanoimaging: Instruments and Methods II
Pubblicazione: (2015)

Оптические и волноводные свойства эпитаксиальных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 58, № 8-3
Pubblicazione: (2015)

Деградация светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN при возбуждении сильноточным электронным пучком; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
di: Олешко В. И. Владимир Иванович
Pubblicazione: (2013)

Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2017)
di: Ли Цзысюань
Pubblicazione: (2017)

Морфология разрушений в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Письма в Журнал технической физики; Т. 41, вып. 15
di: Олешко В. И. Владимир Иванович
Pubblicazione: (2015)

Physical nature of size effects in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts to AlGaN/GaN heteroepitaxial structures; Semiconductor Science and Technology; Vol. 37, iss. 5
Pubblicazione: (2022)

Characterization of Defects and Deep Levels for GaN Power Devices
di: Narita, Tetsuo
Pubblicazione: (2020)

Influence of Contacts and Applied Voltage on a Structure of a Single GaN Nanowire; Applied Sciences; Vol. 11, iss. 20
Pubblicazione: (2021)

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.11
di: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Pubblicazione: (Новосибирск, 2025)

Hysteresis of tunnel current in w-GaN/AlGaN(0001) double-barrier structures; Semiconductors; Vol. 42, iss. 5
di: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Pubblicazione: (2008)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
di: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Pubblicazione: (Томск, [Б. и.], 2017)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
di: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Pubblicazione: (Томск, 2017)

Деградация светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN при облучении гамма-квантами; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
di: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Pubblicazione: (2011)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
di: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Pubblicazione: (Томск, 2018)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
di: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Pubblicazione: (Томск, [Б. и.], 2018)

The effect of internal fields on tunneling current in strained GaN/AlxGa1-x N(0001) structures; Semiconductors; Vol. 37, iss. 4
di: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Pubblicazione: (2003)

"Двурезонансный" гистерезис туннельного тока в гетероструктурах w-GaN/AlGaN; Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы
di: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Pubblicazione: (2007)

Self-consistent calculation of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) two-barrier heterostructures; Semiconductors; Vol. 40, iss. 6
di: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Pubblicazione: (2006)

Defect-rich GaN interlayer facilitating the annihilation of threading dislocations in polar GaN crystals grown on (0001)-oriented sapphire substrates; Journal of Applied Physics; Vol. 126, iss. 8
Pubblicazione: (2019)

Формирование нанопроводов оксида цинка на подложках с развитой поверхностью для газочувствительных слоёв; Химия и химическая технология в XXI веке
di: Иванова А. А.
Pubblicazione: (2018)

Structure and Phase Composition of Multilayer AlN/SiN Films Irradiated with Helium Ions; Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques; Vol. 12, iss. 6
Pubblicazione: (2018)

“Конденсаторная” модель гистерезиса туннельного тока в структурах w-GaN/AlGaN(0001); Физика твёрдого тела; Т. 51, вып. 1
di: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Pubblicazione: (2009)

A “capacitor” model of the hysteresis of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) structures; Physics of the Solid State; Vol. 51, iss. 1
di: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Pubblicazione: (2009)

Гистерезис туннельного тока в двухбарьерных структурах w-GaN/AlGaN(0001); Физика и техника полупроводников; Т. 42, вып. 5
di: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Pubblicazione: (2008)

Роль глубоких уровней в токе туннельных диодов w-AlGaN/GaN; Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы
di: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Pubblicazione: (2015)

High-voltage MIS-gated GaN transistors; Semiconductors; Vol. 51, iss. 9
Pubblicazione: (2017)

Optical Properties of Al–Si–N Coatings Deposited by Reactive Magnetron Sputtering on Steel 12H18N10T and Zirconium Alloy E110; Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques; Vol. 17, s. 1
Pubblicazione: (2023)

Самосогласованный расчет туннельного тока в двухбарьерных гетероструктурах w-GaN / AlGaN (0001); Физика и техника полупроводников; Т. 40, вып. 6
di: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Pubblicazione: (2006)

Особенности туннельного тока в двухбарьерных нитридных структурах w-GaN/AlGaN(0001); Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы
di: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Pubblicazione: (2005)

Влияние дефектов на туннельный ток в структурах w-GaN/AlGaN(0001); Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы
di: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Pubblicazione: (2008)