X-ray Bragg Ptychography on a Single InGaN/GaN Core-Shell Nanowire; ACS Nano; Vol. 11, iss. 7

X-ray Bragg Ptychography on a Single InGaN/GaN Core-Shell Nanowire; ACS Nano; Vol. 11, iss. 7

Detaylı Bibliyografya
Parent link:	ACS Nano Vol. 11, iss. 7.— 2017.— [P. 6605-6611]
Müşterek Yazar:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов
Diğer Yazarlar:	Dzhigaev D. Dmitry, Stankevic T. Tomas, Bi Zh. Zhaoxia, Lazarev S. V. Sergey Vladimirovich, Rose M. Max, Shabalin Anatoly A. G., Reinhardt J. Juliane, Mikkelsen A. Anders, Samuelson L. Lars, Falkenberg G. Gerald, Feidenhans'L R. Robert, Vartanyants I. A. Ivan
Özet:	Title screen The future of solid-state lighting can be potentially driven by applications of InGaN/GaN core–shell nanowires. These heterostructures provide the possibility for fine-tuning of functional properties by controlling a strain state between mismatched layers. We present a nondestructive study of a single 400 nm-thick InGaN/GaN core–shell nanowire using two-dimensional (2D) X-ray Bragg ptychography (XBP) with a nanofocused X-ray beam. The XBP reconstruction enabled the determination of a detailed three-dimensional (3D) distribution of the strain in the particular nanowire using a model based on finite element method. We observed the strain induced by the lattice mismatch between the GaN core and InGaN shell to be in the range from -0.1% to 0.15% for an In concentration of 30%. The maximum value of the strain component normal to the facets was concentrated at the transition region between the main part of the nanowire and the GaN tip. In addition, a variation in misfit strain relaxation between the axial growth and in-plane directions was revealed.
Dil:	İngilizce
Baskı/Yayın Bilgisi:	2017
Konular:	электронный ресурс труды учёных ТПУ X-rays plastics nitrides scattering physical and chemical processes рентген пластмассы нитриды рассеяние физико-химические процессы нанопровода
Online Erişim:	https://doi.org/10.1021/acsnano.6b08122
Materyal Türü:	Elektronik Kitap Bölümü
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=666913

Benzer Materyaller

Alignment control and atomically-scaled heteroepitaxial interface study of GaN nanowires; Nanoscale; Vol. 9, iss. 16
Baskı/Yayın Bilgisi: (2017)

Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
Baskı/Yayın Bilgisi: (2016)

Semiconducting Silicon Nanowires for Biomedical Applications
Baskı/Yayın Bilgisi: (Amsterdam, Elsevier, 2014)

Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
Yazar:: Олешко В. И. Владимир Иванович
Baskı/Yayın Bilgisi: (2013)

Analysis of boundary conditions for the envelope functions of GaN/InGaN(0001) heterostructures; Russian Physics Journal; Vol. 55, iss. 7
Yazar:: Karavaev G. F. Gennady Fedorovich
Baskı/Yayın Bilgisi: (2012)

Structural Changes in a Single GaN Nanowire under Applied Voltage Bias; Nano Letters; Vol. 18, iss. 9
Baskı/Yayın Bilgisi: (2018)

Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001); Известия вузов. Физика; Т. 55, № 7
Yazar:: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Baskı/Yayın Bilgisi: (2012)

The morphology of high-current electron-beam-initiated fractures in InGaN/GaN heterostructures; Technical Physics Letters; Vol. 41, iss. 8
Yazar:: Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich
Baskı/Yayın Bilgisi: (2015)

Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
Baskı/Yayın Bilgisi: (2013)

Theoretical analysis of the strain mapping in a single core-shell nanowire by x-ray Bragg ptychography; Proceedings of SPIE; Vol. 9592 : X-Ray Nanoimaging: Instruments and Methods II
Baskı/Yayın Bilgisi: (2015)

Механизмы разрушения в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Ученые записки физического факультета Московского университета; № 5
Yazar:: Олешко В. И. Владимир Иванович
Baskı/Yayın Bilgisi: (2015)

Деградация светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN при возбуждении сильноточным электронным пучком; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
Yazar:: Олешко В. И. Владимир Иванович
Baskı/Yayın Bilgisi: (2013)

Оптические и волноводные свойства эпитаксиальных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 58, № 8-3
Baskı/Yayın Bilgisi: (2015)

Морфология разрушений в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Письма в Журнал технической физики; Т. 41, вып. 15
Yazar:: Олешко В. И. Владимир Иванович
Baskı/Yayın Bilgisi: (2015)

Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2017)
Yazar:: Ли Цзысюань
Baskı/Yayın Bilgisi: (2017)

Physical nature of size effects in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts to AlGaN/GaN heteroepitaxial structures; Semiconductor Science and Technology; Vol. 37, iss. 5
Baskı/Yayın Bilgisi: (2022)

Characterization of Defects and Deep Levels for GaN Power Devices
Yazar:: Narita, Tetsuo
Baskı/Yayın Bilgisi: (2020)

Influence of Contacts and Applied Voltage on a Structure of a Single GaN Nanowire; Applied Sciences; Vol. 11, iss. 20
Baskı/Yayın Bilgisi: (2021)

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.11
Yazar:: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Baskı/Yayın Bilgisi: (Новосибирск, 2025)

Hysteresis of tunnel current in w-GaN/AlGaN(0001) double-barrier structures; Semiconductors; Vol. 42, iss. 5
Yazar:: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Baskı/Yayın Bilgisi: (2008)

Деградация светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN при облучении гамма-квантами; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Yazar:: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Baskı/Yayın Bilgisi: (2011)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
Yazar:: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Baskı/Yayın Bilgisi: (Томск, [Б. и.], 2017)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
Yazar:: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Baskı/Yayın Bilgisi: (Томск, 2017)

Формирование нанопроводов оксида цинка на подложках с развитой поверхностью для газочувствительных слоёв; Химия и химическая технология в XXI веке
Yazar:: Иванова А. А.
Baskı/Yayın Bilgisi: (2018)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
Yazar:: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Baskı/Yayın Bilgisi: (Томск, 2018)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
Yazar:: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Baskı/Yayın Bilgisi: (Томск, [Б. и.], 2018)

Defect-rich GaN interlayer facilitating the annihilation of threading dislocations in polar GaN crystals grown on (0001)-oriented sapphire substrates; Journal of Applied Physics; Vol. 126, iss. 8
Baskı/Yayın Bilgisi: (2019)

"Двурезонансный" гистерезис туннельного тока в гетероструктурах w-GaN/AlGaN; Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы
Yazar:: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Baskı/Yayın Bilgisi: (2007)

The effect of internal fields on tunneling current in strained GaN/AlxGa1-x N(0001) structures; Semiconductors; Vol. 37, iss. 4
Yazar:: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Baskı/Yayın Bilgisi: (2003)

Self-consistent calculation of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) two-barrier heterostructures; Semiconductors; Vol. 40, iss. 6
Yazar:: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Baskı/Yayın Bilgisi: (2006)

“Конденсаторная” модель гистерезиса туннельного тока в структурах w-GaN/AlGaN(0001); Физика твёрдого тела; Т. 51, вып. 1
Yazar:: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Baskı/Yayın Bilgisi: (2009)

A “capacitor” model of the hysteresis of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) structures; Physics of the Solid State; Vol. 51, iss. 1
Yazar:: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Baskı/Yayın Bilgisi: (2009)

Гистерезис туннельного тока в двухбарьерных структурах w-GaN/AlGaN(0001); Физика и техника полупроводников; Т. 42, вып. 5
Yazar:: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Baskı/Yayın Bilgisi: (2008)

Роль глубоких уровней в токе туннельных диодов w-AlGaN/GaN; Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы
Yazar:: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Baskı/Yayın Bilgisi: (2015)

Structure and Phase Composition of Multilayer AlN/SiN Films Irradiated with Helium Ions; Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques; Vol. 12, iss. 6
Baskı/Yayın Bilgisi: (2018)

High-voltage MIS-gated GaN transistors; Semiconductors; Vol. 51, iss. 9
Baskı/Yayın Bilgisi: (2017)

Особенности туннельного тока в двухбарьерных нитридных структурах w-GaN/AlGaN(0001); Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы
Yazar:: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Baskı/Yayın Bilgisi: (2005)

Влияние дефектов на туннельный ток в структурах w-GaN/AlGaN(0001); Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы
Yazar:: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Baskı/Yayın Bilgisi: (2008)

Самосогласованный расчет туннельного тока в двухбарьерных гетероструктурах w-GaN / AlGaN (0001); Физика и техника полупроводников; Т. 40, вып. 6
Yazar:: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Baskı/Yayın Bilgisi: (2006)

Optical Properties of Al–Si–N Coatings Deposited by Reactive Magnetron Sputtering on Steel 12H18N10T and Zirconium Alloy E110; Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques; Vol. 17, s. 1
Baskı/Yayın Bilgisi: (2023)