Способ переработки отходов, содержащих арсенид галлия

Bibliografiske detaljer
Parent link:Сборник избранных статей по материалам научных конференций ГНИИ "Нацразвитие": сборник избранных статей Международной конференции "Технические и естественнные науки", Санкт-Петербург, 26-30 декабря 2018 года. [С. 176-178].— , 2019
Hovedforfatter: Семенова В. И. Валерия Игоревна
Institution som forfatter: Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа новых производственных технологий Научно-образовательный центр Н. М. Кижнера
Andre forfattere: Казьмина О. В. Ольга Викторовна
Summary:Заглавие с экрана
В работе представлены результаты переработки арсенида галлия, отходапервого класса опасности, образующегося при производстве полупроводниковых приборов.Полученный композиционный материал отвечает экологическим требованиям, чтоподтверждается данными биотестирования.
The results of processing first hazardous class waste with gallium arsenide contentpresents at this article. Waste is formed during manufacturing of semiconductor devices. Thecomposite material that obtained during research corresponds to environmental requirements, whichare confirmed by biotesting data.
Udgivet: 2019
Fag:
Online adgang:https://elibrary.ru/item.asp?id=37058931
Format: Electronisk Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=664682
Beskrivelse
Summary:Заглавие с экрана
В работе представлены результаты переработки арсенида галлия, отходапервого класса опасности, образующегося при производстве полупроводниковых приборов.Полученный композиционный материал отвечает экологическим требованиям, чтоподтверждается данными биотестирования.
The results of processing first hazardous class waste with gallium arsenide contentpresents at this article. Waste is formed during manufacturing of semiconductor devices. Thecomposite material that obtained during research corresponds to environmental requirements, whichare confirmed by biotesting data.